[发明专利]由定制的掩蔽保护的低复杂度电子电路有效
| 申请号： | 201080056401.9 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102648600A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | S·吉耶;J-L·当热 | 申请（专利权）人： | 法国电信教育集团-巴黎电信学院 |
| 主分类号： | H04L9/06 | 分类号： | H04L9/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜;王英 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明的主题是由掩蔽保护的密码电路，所述电路包括用于使用至少一个密钥krc来加密二进制字的模块，用于将线性处理操作（216）和非线性处理操作（226）施加至所述字的模块以及用于掩蔽所述字的模块。通过使用掩码kri在所述非线性处理操作的上游解掩蔽（214）所述二进制字，并且通过使用掩码kr+1i在所述处理操作的下游掩蔽（215）所述二进制字，所述掩码kri和kr+1i选自特定于所述电路的每个实例的一组掩码。 | ||
| 搜索关键词： | 定制 掩蔽 保护 复杂度 电子电路 | ||
【主权项】：
一种由掩蔽保护的密码电路，所述电路包括用于使用至少一个密钥krc来加密二进制字的模块、用于将线性处理操作（216）和非线性处理操作（226）施加至所述字的模块、用于掩蔽所述字的模块，所述电路的特征在于：通过使用掩码kri在所述非线性处理操作的上游解掩蔽（214）所述二进制字，并且通过使用掩码kr+1i在所述非线性处理操作的下游掩蔽（215）所述二进制字，所述掩码kri和kr+1i形成特定于所述电路的每个实例的一组掩码的一部分。
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