[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080056072.8 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102652330A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 近间义雅;锦博彦;太田纯史;水野裕二（已死亡）;原猛;会田哲也;铃木正彦;竹井美智子;中川兴史;春本祥征 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于：所述半导体装置包括：基板；在所述基板上形成的薄膜晶体管；和将所述薄膜晶体管与外部配线电连接的端子部，所述薄膜晶体管包括：设置在所述基板上的栅极配线；在所述栅极配线上形成的第一绝缘膜；岛状的氧化物半导体层，该氧化物半导体层在所述第一绝缘膜上形成，具有沟道区域和分别位于所述沟道区域的两侧的源极区域和漏极区域；在所述氧化物半导体层上接触设置的第二绝缘膜；设置在所述第二绝缘膜上，与所述源极区域电连接的源极配线；设置在所述第二绝缘膜上，与所述漏极区域电连接的漏极电极；和设置在所述源极配线和所述漏极电极上，覆盖所述薄膜晶体管的保护膜，所述端子部包括：由与所述栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部；在所述第一连接部上形成，由与所述源极配线和所述漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部；和在所述第二连接部上形成的第三连接部，所述第二连接部在设置于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第一开口部内与所述第一连接部接触，所述第三连接部在设置于所述保护膜的第二开口部内与所述第二连接部接触，所述第二连接部覆盖所述第一开口部的所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的端面，并且不覆盖所述第二开口部的所述保护膜的端面。
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