[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置包括：基板；在所述基板上形成的薄膜晶体管；和将所述薄膜晶体管与外部配线电连接的端子部，

所述薄膜晶体管包括：

设置在所述基板上的栅极配线；

在所述栅极配线上形成的第一绝缘膜；

岛状的氧化物半导体层，该氧化物半导体层在所述第一绝缘膜上形成，具有沟道区域和分别位于所述沟道区域的两侧的源极区域和漏极区域；

在所述氧化物半导体层上接触设置的第二绝缘膜；

设置在所述第二绝缘膜上，与所述源极区域电连接的源极配线；

设置在所述第二绝缘膜上，与所述漏极区域电连接的漏极电极；和

设置在所述源极配线和所述漏极电极上，覆盖所述薄膜晶体管的保护膜，

所述端子部包括：

由与所述栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部；

在所述第一连接部上形成，由与所述源极配线和所述漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部；和

在所述第二连接部上形成的第三连接部，

所述第二连接部在设置于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第一开口部内与所述第一连接部接触，

所述第三连接部在设置于所述保护膜的第二开口部内与所述第二连接部接触，

所述第二连接部覆盖所述第一开口部的所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的端面，并且不覆盖所述第二开口部的所述保护膜的端面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在从所述基板的表面的法线方向看时，所述第二开口部位于所述第一开口部的内部。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置还包括与所述漏极电极电连接的像素电极，

所述第三连接部由与所述像素电极相同的导电膜形成。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置还包括在所述基板形成的辅助电容，

所述辅助电容具有：

由与所述栅极配线相同的导电膜形成的辅助电容配线；

覆盖所述辅助电容配线的所述第一绝缘膜；

由与所述氧化物半导体层相同的氧化物半导体膜形成的辅助电容形成用半导体层；和

设置在所述辅助电容形成用半导体层上的辅助电容电极，

所述辅助电容电极在形成于所述第二绝缘膜的开口部内与所述辅助电容形成用半导体层接触。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述辅助电容电极是所述漏极电极的一部分，

所述像素电极在形成于所述保护膜的开口部内与所述辅助电容电极接触。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述辅助电容电极是所述像素电极的一部分。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置还包括将所述栅极配线与所述源极配线电连接的栅极-源极连接部，

在所述栅极-源极连接部，所述源极配线在设置于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的所述第一开口部内与所述栅极配线接触。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

在所述保护膜与所述像素电极之间还包括有机绝缘膜。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一绝缘膜和所述保护膜中的至少一个含有SiO₂。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一绝缘膜具有包括SiO₂膜和SiNx膜的叠层结构，所述SiO₂膜是所述叠层结构的最上层，与所述氧化物半导体层的下表面接触。

11.如权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于：

所述保护膜具有包括SiO₂膜和SiNx膜的叠层结构，所述SiO₂膜是所述叠层结构的最下层。