[发明专利]超高密度功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201080055099.5 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102770947A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | R.Q.许;K-I.陈;K.里克滕伯格;S.史;Q.陈;K.特里尔 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 丁艺;沙捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法，在一个实施例中，可包括在垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的本体区中形成多个沟槽。另外，该方法可包括成角度地将源极区注入该本体区。而且，电介质材料可在该多个沟槽内生长。栅极多晶硅可在该多个沟槽内沉积。此外，该方法可包括化学机械抛光该栅极多晶硅。该方法还可包括回蚀在该多个沟槽内的栅极多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 密度 功率 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的本体区中形成多个沟槽；将源极区成角度地注入所述本体区中；使电介质材料在所述多个沟槽内生长；使栅极多晶硅在所述多个沟槽内沉积；化学机械抛光所述栅极多晶硅；以及回蚀在所述多个沟槽内的所述栅极多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
