[发明专利]用于形成用于制造太阳能电池的薄半导体层衬底的方法

摘要

描述了一种用于形成用于制造太阳能电池的薄半导体层衬底的方法，在该方法中，在所提供的半导体衬底(1)中，可以通过电化学蚀刻交替地形成大孔隙度低的大孔层(33，37)和蚀刻去除层(35，39)。蚀刻去除层(35，39)分离相邻的大孔层(33，37)，从而这些层优选地是自支撑的。在该配置中，该半导体衬底(1)的至少部分地包围大孔层(33，37)的边缘区域(3)保持未被蚀刻，因此用于机械地稳固连接到它的被包围的大孔性较轻的层(33，37)。按照该方式产生的多层堆叠接下来可以在联合流体处理步骤中作为整体经历进一步的处理步骤，例如，可以被涂覆钝化氧化物。接下来，大孔层可以连续地从半导体衬底的起稳固作用的边缘区域(3)分离，其中在大孔层(33)和非多孔边缘区域(3)之间的机械连接被中断。在撕掉各个最上面的层之前，可以应用具有单侧效应的处理。按照该方式，可以利用仅几个处理步骤来产生以包括良好的表面钝化和减小反射的表面纹理的大孔层(33，37)的形式的多个薄半导体层衬底。

主权项

一种用于形成用于制造太阳能电池的至少一个薄半导体层衬底的方法，其中，所述方法包括：(a)提供半导体衬底(1)；(b1)在所述半导体衬底(1)的局部表面上形成上部的大孔层(33)；(c1)在所述大孔层(33)下面形成蚀刻去除层(35)；其中所述大孔层(33)和所述蚀刻去除层(35)是在每一种情形中通过在蚀刻溶液(7)中电化学蚀刻所述半导体衬底(1)的所述局部表面而形成的；其中所述半导体衬底(1)的至少部分地包围所述局部表面的边缘区域保持未被蚀刻，以形成起稳固作用的非多孔边缘区域(3)；(d)使包括形成在所述半导体衬底(1)中的所述大孔层和所述蚀刻去除层(33，35)的整个所述半导体衬底(1)经历至少一个流体方法相关的步骤，在所述流体方法相关的步骤中，流体在所述半导体衬底表面上作用；(e1)机械地将所述上部的大孔层(33)从所述半导体衬底(1)分离，其中在所述大孔层(33)和所述非多孔边缘区域(3)之间的机械连接被中断。