[发明专利]用于形成用于制造太阳能电池的薄半导体层衬底的方法

权利要求书

1.一种用于形成用于制造太阳能电池的至少一个薄半导体层衬底的方法，其中，所述方法包括：

(a)提供半导体衬底(1)；

(b1)在所述半导体衬底(1)的局部表面上形成上部的大孔层(33)；

(c1)在所述大孔层(33)下面形成蚀刻去除层(35)；

其中所述大孔层(33)和所述蚀刻去除层(35)是在每一种情形中通过在蚀刻溶液(7)中电化学蚀刻所述半导体衬底(1)的所述局部表面而形成的；

其中所述半导体衬底(1)的至少部分地包围所述局部表面的边缘区域保持未被蚀刻，以形成起稳固作用的非多孔边缘区域(3)；

(d)使包括形成在所述半导体衬底(1)中的所述大孔层和所述蚀刻去除层(33，35)的整个所述半导体衬底(1)经历至少一个流体方法相关的步骤，在所述流体方法相关的步骤中，流体在所述半导体衬底表面上作用；

(e1)机械地将所述上部的大孔层(33)从所述半导体衬底(1)分离，其中在所述大孔层(33)和所述非多孔边缘区域(3)之间的机械连接被中断。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

(b2)在之前形成的所述蚀刻去除层(35)下面形成另一大孔层(37)；

(c2)在之前形成的所述大孔层(37)下面形成另一蚀刻去除层(39)，

其中所述另一大孔层(37)和所述另一蚀刻去除层(39)是在每一种情形中通过在蚀刻溶液(7)中电化学蚀刻所述半导体衬底(1)的所述局部表面而形成的；

(e2)优选地在所述上部的大孔层(33)已经从所述半导体衬底(1)分离之后，机械地将所述另一大孔层(37)从所述半导体衬底(1)分离。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，多次重复所述方法相关的步骤(b2)和(c2)。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，在所述方法相关的步骤(e)之前，包括形成在所述半导体衬底(1)中的若干个大孔层和蚀刻去除层(33，35，37，39)的整个所述半导体衬底(1)经历所述流体方法相关的步骤，在所述流体方法相关的步骤中，流体在所述半导体衬底表面上作用。

5.根据权利要求1到4中的任一项所述的方法，其中，在所述流体方法相关的步骤中，包括形成在所述半导体衬底(1)中的大孔层和蚀刻去除层(33，35，37，39)的整个所述半导体衬底(1)在至少450℃的温度下的高温步骤中经受含氧气氛。

6.根据权利要求1到5中的任一项所述的方法，其中，在所述流体方法相关的步骤中，包括形成在所述半导体衬底(1)中的大孔层和蚀刻去除层(33，35，37，39)的整个所述半导体衬底(1)在低于500℃的温度下经历用于沉积氧化铝层的原子层沉积。

7.根据权利要求1到6中的任一项所述的方法，其中，在所述流体方法相关的步骤中，包括形成在所述半导体衬底(1)中的大孔层和蚀刻去除层(33，35，37，39)的整个所述半导体衬底(1)在至少700℃的温度下经历在含掺杂剂的气氛中的高温步骤。

8.根据权利要求1到7中的任一项所述的方法，其中，在若干个大孔层和蚀刻去除层(33，35，37，39)的电化学蚀刻期间，可以调节影响参数，使得连续形成的大孔层的孔结构和层厚度实质上保持相同。

9.根据权利要求1到8中的任一项所述的方法，其中，通过气相沉积处理在大孔层的外侧区域形成薄层(53)，其中气体压力选择足够低，使得很大程度地防止了在多孔半导体层衬底的内表面上沉积薄层(53)。

10.根据权利要求1到9中的任一项所述的方法，其中，为了帮助将位于外侧的大孔层(33，37)从所述半导体衬底分离，在所述大孔层(33，37)的周边区域(43)中形成沟槽(47)。

11.根据权利要求1到10中的任一项所述的方法，其中，位于外侧的大孔层(33，37)以如下方式从所述半导体衬底机械分离：将载体衬底(41)粘附到位于外侧的所述大孔层，然后将具有位于外侧的、粘附到所述载体衬底的所述大孔层的所述载体衬底从所述半导体衬底撕掉。

12.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：

通过根据权利要求1到11中的任一项所述的方法形成薄半导体层衬底(33，37)；

在所述半导体层衬底中形成掺杂区域(47)；以及

在所述半导体层衬底的表面区域形成电触点(51)。