[发明专利]去除沉积物的方法无效
| 申请号： | 201080049351.1 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102597309A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 马尔塞洛·里瓦;斯特凡·姆罗斯 | 申请（专利权）人： | 苏威氟有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23G5/00;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于从固态本体的表面去除一种硅氢化物的方法，该方法包括用一种气体处理该硅氢化物，该气体包括分子氟或从分子氟产生的活性物质。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 沉积物 方法 | ||
【主权项】：
一种用于从固态本体的表面去除硅氢化物的方法，该方法包括用气体处理该硅氢化物，该气体包括分子氟或从分子氟产生的活性物质。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
