[发明专利]去除沉积物的方法

权利要求书

1.一种用于从固态本体的表面去除硅氢化物的方法，该方法包括用气体处理该硅氢化物，该气体包括分子氟或从分子氟产生的活性物质。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该硅氢化物选自非晶的以及微晶的硅氢化物。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中该硅氢化物通过化学气相沉积使用含硅烷的沉积气体沉积在该固态本体的表面上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该固态本体是用于制造半导体、平板显示器或光电元件的处理腔室的内部部件。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中该气体主要由分子氟组成。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中该气体是分子氟和优选选自氮气和氩气的惰性气体的混合物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中该气体中分子氟的含量是从大于50％摩尔至95％摩尔，优选地从80％至90％摩尔，并且该惰性气体的含量是从5％摩尔至50％摩尔，优选地从10％摩尔至20％摩尔。

8.根据权利要求7所述的方法，其中该气体由约90摩尔％分子氟和约10摩尔％氩气组成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中该处理包括由该气体产生等离子体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中产生该等离子体包括将该气体暴露于具有从40至80MHz频率的高频电场中。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中该气体压力是从0.5至50托。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中施加以产生该等离子体的功率是从5000至60000W，优选从10000至40000W。

13.根据权利要求1至8中的任何一项所述的方法，其中该处理包括在从100℃至300℃的温度下使该硅氢化物与该气体接触。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该气体压力是从50至500托。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中通过施加高频场、尤其是具有从40至60MHz的频率的场，在不足以产生等离子体的条件下原位产生加热的气体。

16.根据权利要求1至15中的任何一项所述的方法，其中该处理进行了足以将在该表面上的硅氢化物层的量相对其起始量减少至小于1％的时间。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，其中该固态本体包括选自铝、铝合金、不锈钢、以及SiC的材料或由其组成。

18.根据权利要求1至17中任一项所述的方法，该方法还包括通过电解熔融盐电解质来提供分子氟以用于所述方法中。

19.一种用于制造产品的方法，其中用于制造该产品的至少一个处理步骤在处理腔室中进行，并且硅氢化物沉积在该处理腔室的内部部件上，该方法包括通过根据权利要求1至18中的任一项所述的方法清洁所述内部部件。

20.根据权利要求19所述的方法，其中该产品选自半导体、平板显示器、以及太阳能电池板。