[发明专利]用于探测半导体衬底中的裂纹的方法和装置在审
| 申请号： | 201080048527.1 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102597752A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·奥特纳;克劳斯·格斯特纳;希尔马·冯坎佩;米夏埃尔·史特尔策 | 申请（专利权）人： | 肖特公开股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 车文;樊卫民 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于探测平面半导体衬底中的裂纹的方法和装置，该半导体衬底具有两个对置的侧面(30、31)和包绕的边沿面，半导体衬底例如为硅晶片和太阳能电池。该方法和装置基于对裂纹(34)处发生偏转的光的检测，所述光被引导到半导体衬底(3)的边沿面中并且在侧面之一上在裂纹位置处出射。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 探测 半导体 衬底 中的 裂纹 方法 装置 | ||
【主权项】：
用于探测平面式的半导体衬底(3)中的裂纹(34)的方法，所述半导体衬底(3)具有两个对置的侧面(30、31)和包绕的边沿面(33)，在所述方法中，‑将电磁辐射引导到所述半导体衬底(3)的边沿面中，其中，‑所述电磁辐射具有如下的波长，所述波长至少部分透射通过所述半导体衬底(3)的材料，从而‑所述电磁辐射从在所述边沿面(33)上的入射部位通过在所述侧面(30、31)上的反射而被引导达到至所述边沿面(33)的对置点的距离的至少一半，并且其中，‑借助对所导入的所述电磁辐射敏感的、起成像作用的光学探测器(7)来探测辐射，所述辐射在所述裂纹(34)处发生散射并且在所述侧面(30、31)之一上在裂纹位置处出射，并且其中，由被所述光学探测器(7)记录的信号来生成由所述光学探测器观察的所述侧面的至少一个区域的散射强度的图像。
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