[发明专利]用于探测半导体衬底中的裂纹的方法和装置

权利要求书

1.用于探测平面式的半导体衬底(3)中的裂纹(34)的方法，所述半导体衬底(3)具有两个对置的侧面(30、31)和包绕的边沿面(33)，在所述方法中，

-将电磁辐射引导到所述半导体衬底(3)的边沿面中，其中，

-所述电磁辐射具有如下的波长，所述波长至少部分透射通过所述半导体衬底(3)的材料，从而

-所述电磁辐射从在所述边沿面(33)上的入射部位通过在所述侧面(30、31)上的反射而被引导达到至所述边沿面(33)的对置点的距离的至少一半，并且其中，

-借助对所导入的所述电磁辐射敏感的、起成像作用的光学探测器(7)来探测辐射，所述辐射在所述裂纹(34)处发生散射并且在所述侧面(30、31)之一上在裂纹位置处出射，并且其中，由被所述光学探测器(7)记录的信号来生成由所述光学探测器观察的所述侧面的至少一个区域的散射强度的图像。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底被作为光源(5)的激光器透射，并且其中，

-借助进给结构(13)在用激光束照射所述半导体衬底(3)期间使所述半导体衬底(3)和所述光源(5)相对彼此在沿着所述侧的方向上且横向于光入射方向地运动，从而光束的入射位置沿着所述半导体衬底(3)的边沿运动，并且其中，所述装置包括计算机构，所述计算机构由在所述半导体衬底进给期间沿着所述半导体衬底的被所述激光束透射的区域所记录的探测器信号来产生所述半导体衬底的由所述光学探测器(7)所观察的侧的图像。

3.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，波长为至少1.2微米的红外光被引导进入所述边沿面(33)中。

4.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，由被起成像作用的所述光学探测器(7)获得的图像数据，通过评估局部亮度分布来测定裂纹(34)。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，两个对向的激光束(56、57)被引导通过所述半导体衬底(3)，其中，借助起成像作用的所述探测器选择性地检测两个激光束(56、57)的散射光，并且其中，

由每个所述激光束(56、57)的散射光的选择性检测的探测器信号分别产生表面的分图(72、73)，并且其中，所述分图(72、73)组合成总图。

6.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底(3)被两个激光束(56、57)透射，其中，所述激光束中的至少一个相对于进给方向倾斜地透射所述半导体衬底(3)。

7.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，附加地执行至少一次电致发光拍摄和/或光致发光拍摄和/或明场拍摄或暗场拍摄。

8.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，光束(56)指向所述边沿面(33)，所述光束(56)在所述边沿面(33)上在垂直于所述半导体衬底(3)的所述侧面(30、31)的方向上的伸展大于所述半导体衬底(3)的厚度d。

9.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，在所述半导体衬底(3)的面向所述探测器(7)的侧面上的不透光的结构之下的裂纹借助不透光的结构的边缘的闪烁来识别。