[发明专利]控制绝缘体上半导体型结构中应力分布的方法及对应结构无效
| 申请号： | 201080048486.6 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102598243A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;帕特里克·雷诺 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;张旭东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在绝缘体上半导体型结构的制造过程中控制绝缘体上半导体型结构中的应力的分布的方法，该结构包括位于支撑基板(1)上的半导体材料的薄层(3)，绝缘层(2，4)存在于支撑基板(1)的前面和后面中的每一个上，前面上的所述绝缘层(2)形成厚的掩埋绝缘体(BOX)的至少一部分，根据所述方法的制造方法包括在所述支撑基板(1)上粘附接合所述薄层(3)，该方法的特征在于下述事实：在粘附接合之前，利用耐受去氧化的不同材料(5)覆盖位于所述支撑基板的后面上的所述绝缘层(4)，与所述支撑基板(1)的后面上的该绝缘层(4)组合的材料至少部分地补偿由支撑基板(1)上的掩埋绝缘体(BOX)施加的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 绝缘体 上半 导体 结构 应力 分布 方法 对应 | ||
【主权项】：
一种在绝缘体上半导体型结构的制造过程中控制绝缘体上半导体型结构中应力分布的方法，所述绝缘体上半导体型结构包括位于支撑基板(1)上的半导体材料的薄层(3)，绝缘层(2，4)存在于所述支撑基板(1)的前面(10)和后面(11)中的每一个面上，所述前面上的所述绝缘层(2)形成厚的掩埋绝缘体(BOX)的至少一部分，根据所述方法的制造方法包括在所述支撑基板(1)上粘附接合所述薄层(3)，其特征在于：在粘附接合之前，利用耐受去氧化的不同材料(5)覆盖位于所述支撑基板的后面上的所述绝缘层(4)，与所述支撑基板的后面(11)上的该绝缘层(4)组合的材料至少部分地补偿由所述支撑基板(1)上的掩埋绝缘体(BOX)施加的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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