[发明专利]包括电气触点的器件及其制造工艺有效
| 申请号： | 201080046306.0 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102668105A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | C·巴立夫 | 申请（专利权）人： | 洛桑联邦理工学院(EPFL) |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及一种器件，其包括导电表面(12)和电流能够通过的电气触点(14)。所述电气触点(14)包括沉积在导电表面(12)上的导电种子(16)，电气绝缘层(18)，其不连续覆盖所述导电种子(16)以便形成进入所述导电种子(16)的开口(20)，以及弥补所述不连续绝缘层(18)并沉积在导电种子(16)上的镀覆层(22)，该导电种子可通过所述开口(20)接触并形成所述镀覆层从其开始沉积的点。不包括任何电气触点(14)的剩余的所述导电表面(12)由所述电气绝缘层(18)连续覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电气 触点 器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种器件，其包括导电表面(12)和电流能够通过的电气触点(14)，其特征在于所述电气触点(14)包括沉积在导电表面(12)上的导电种子(16)、不连续覆盖所述导电种子(16)以便形成开口(20)的电气绝缘层(18)和弥补所述不连续绝缘层(18)并沉积在导电种子(16)上的镀覆层(22)，所述开口(20)留出通向所述导电种子(16)的入口，所述导电种子(16)可通过所述开口(20)接触并形成所述镀覆层(22)的沉积从其开始的点，并且其特征在于不包括任何电气触点(14)的剩余的所述导电表面(12)由所述电气绝缘层(18)连续覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
