[发明专利]包括电气触点的器件及其制造工艺有效
申请号: | 201080046306.0 | 申请日: | 2010-10-11 |
公开(公告)号: | CN102668105A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | C·巴立夫 | 申请(专利权)人: | 洛桑联邦理工学院(EPFL) |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 电气 触点 器件 及其 制造 工艺 | ||
1.一种器件,其包括导电表面(12)和电流能够通过的电气触点(14),其特征在于所述电气触点(14)包括沉积在导电表面(12)上的导电种子(16)、不连续覆盖所述导电种子(16)以便形成开口(20)的电气绝缘层(18)和弥补所述不连续绝缘层(18)并沉积在导电种子(16)上的镀覆层(22),所述开口(20)留出通向所述导电种子(16)的入口,所述导电种子(16)可通过所述开口(20)接触并形成所述镀覆层(22)的沉积从其开始的点,并且其特征在于不包括任何电气触点(14)的剩余的所述导电表面(12)由所述电气绝缘层(18)连续覆盖。
2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于所述导电种子(16)包含银。
3.根据权利要求1到2中任一项所述的器件,其特征在于所述电气绝缘层(18)是光学透明的。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的器件,其特征在于所述电气绝缘层(18)包括由从下面组中选择的材料制成的一层或叠层,该组由MgF和其他光学透明的氟化合物、SiNx、ZnS、TiO2、SiO2、SiOxNy以及Al2O3组成。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的器件,其特征在于所述镀覆层(22)由从Ag和Cu组成的组中选择的材料制成。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的器件,其特征在于所述电气触点(14)形成为电流收集设计的图案。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的器件,其特征在于所述器件是太阳能电池。
8.根据权利要求7所述的器件,其特征在于所述太阳能电池是硅异质结太阳能电池。
9.制造根据权利要求1到8中任一项所述的器件的方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:
-提供导电表面(12),
-在所述导电表面(12)对应于电气触点(14)的位置的地方中沉积导电种子(16),
-在整个导电表面(12)上沉积电气绝缘层(18),以便在导电种子(16)的区域中形成不连续电气绝缘层,并在所述不连续绝缘层中提供开口(20),以及以便在剩余的导电表面(12)上形成连续电气绝缘层,所述开口(20)留出通向所述导电种子(16)的入口,
-用镀覆层(22)弥补不连续电气绝缘层(18)和导电种子(16),所述导电种子通过所述开口(20)可接触,所述镀覆层(22)从通过所述开口(20)可接触的所述导电种子(16)开始生长。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于所述导电种子(16)是通过沉积导电浆料形成的,所述导电浆料具有适当的粗糙度和允许所述镀覆层(22)生长的孔隙率。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于所述浆料是通过从下面组中选择的方法沉积的,该组由丝网印刷、模版印刷、气溶胶、注射和喷墨印刷组成,从而形成适于从所述器件收集电流的图案。
12.根据权利要求9到11中任一项所述的方法,其特征在于所述电气绝缘层(18)包括由从下面组中选择的材料制成的一层或叠层,该组由MgF和其他光学透明的氟化合物、SiNx、SiO2、ZnS、TiO2、SiOxNy以及Al2O3组成。
13.根据权利要求9到12中任一项所述的方法,其特征在于所述电气绝缘层(18)是光学透明的。
14.根据权利要求9到13中任一项所述的方法,其特征在于所述镀覆层(22)的材料是从Ag和Cu组成的组中选择的。
15.权利要求9到14所述的方法用于制造太阳能电池的用途,具体是制造硅异质结太阳能电池的用途。
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的