[发明专利]基底基板、3B族氮化物结晶及其制法有效
| 申请号： | 201080046040.X | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102575384A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 平尾崇行;下平孝直;今井克宏 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/12;H01L21/208 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在基底基板(18)的主面(c面)(18a)上以阶梯状形成有多个台阶(19)。各台阶(19)的阶差为10～40μm，边缘形成为与GaN的六方晶的a面平行。又，各台阶(19)的平台宽度被设定为规定的宽度。规定的宽度被设定为，在基底基板(18)的主面(18a)上生长GaN结晶之后，从表面侧观察该生长后的GaN结晶时，通过晶界使主面(18a)被覆盖隐藏。多个台阶(19)通过例如干蚀刻、喷沙、激光、冲切等来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 氮化物 结晶 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种基底基板，其是包括3B族氮化物的晶种层的基底基板，其特征在于，在基底基板的主面具有阶差为微米级的多个台阶。
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