[发明专利]基底基板、3B族氮化物结晶及其制法

权利要求书

1.一种基底基板，其是包括3B族氮化物的晶种层的基底基板，其特征在于，在基底基板的主面具有阶差为微米级的多个台阶。

2.如权利要求1所述的基底基板，其特征在于，用于助熔剂法。

3.如权利要求1或2所述的基底基板，其特征在于，所述阶差为10～40μm。

4.如权利要求1～3中的任意一项所述的基底基板，其特征在于，所述台阶的边缘形成为与所述3B族氮化物的结晶的a面大致平行。

5.一种3B族氮化物结晶，其特征在于，其是在权利要求1～4中的任意一项所述的基底基板的主面上生长的3B族氮化物结晶，观察从{1-100}切出的所述3B族氮化物结晶的截面，晶界以所述基底基板的阶差为起点、在GaN单晶中向相对于<0001>方向呈55～75°倾斜的方向延伸。

6.一种3B族氮化物结晶，其特征在于，其是在权利要求1～4中的任意一项所述的基底基板的主面上生长的3B族氮化物结晶，从表面侧观察所述3B族氮化物结晶时，通过以所述基底基板的阶差为起点至所述3B族氮化物结晶的表面的晶界使所述基底基板的主面的全部被覆盖隐藏。

7.一种3B族氮化物结晶的制法，其特征在于，其将权利要求1～4的任意一项所述的基底基板浸入含有3B族金属和碱性金属的混合熔液，并向该混合熔液中导入氮气，在所述基底基板的主面上生长3B族氮化物结晶。