[发明专利]碳化硅衬底无效
| 申请号： | 201080045944.0 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102741973A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 井上博挥;原田真;佐佐木信;西口太郎;冲田恭子;并川靖生 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/36;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种碳化硅衬底(1)，其即使在由除了碳化硅之外的材料制成的不同类型材料层的情况下也实现抑制翘曲，该碳化硅衬底(1)包括：由碳化硅制成的基础层(10)；以及当在平面视图中看时并排地布置在基础层(10)上并且每个均由单晶碳化硅制成的多个SiC层(20)。间隙(60)形成在相邻的SiC层(20)的端表面(20B)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 | ||
【主权项】：
一种碳化硅衬底(1)，包括：基础层(10)，所述基础层由碳化硅制成；以及多个SiC层(20)，所述多个SiC层(20)当在平面视图中看时并排地布置在所述基础层(10)上并且每个SiC层(20)均由单晶碳化硅制成，间隙(60)形成在相邻的SiC层(20)之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
