[发明专利]经碳化硅被覆的碳材料的制造方法有效
| 申请号： | 201080045170.1 | 申请日： | 2010-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN102574747A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 青木 良隆 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 日本国東京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种经碳化硅被覆的碳材料的制造方法，其将通过对非熔融性固体状硅酮加热而得的非晶质无机陶瓷物质与碳基材在非氧化性气体环境下进行加热，从而在碳基材上形成碳化硅被膜。本发明可以获得耐热性优异、具有均匀的碳化硅被覆的经碳化硅被覆的碳材料。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 被覆 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种经碳化硅被覆的碳材料的制造方法，所述经碳化硅被覆的碳材料具有碳基材、及被覆该碳基材的碳化硅被膜；且所述制造方法包括：将非晶质无机陶瓷物质与碳基材在非氧化性气体环境中一起在超过1500℃且2200℃以下的温度下加热；所述非晶质无机陶瓷物质含有硅、碳及氧，且硅、碳及氧的平均元素比为下述组成式(1)所示，并具有包含Si‑O‑Si键的硅氧烷骨架，氢的质量分率为0质量％～0.5质量％Si1CaOb (1)(式中，a为满足0.5≤a≤3.0的数，b为满足1.0≤b≤4.0的数)。
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