[发明专利]经碳化硅被覆的碳材料的制造方法有效

专利信息
申请号: 201080045170.1 申请日: 2010-10-07
公开(公告)号: CN102574747A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 青木 良隆 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C04B41/87 分类号: C04B41/87;C01B31/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 日本国東京都千*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅 被覆 材料 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种经碳化硅被覆的碳材料的制造方法,所述经碳化硅被覆的碳材料具有碳基材、及被覆该碳基材的碳化硅被膜;且

所述制造方法包括:将非晶质无机陶瓷物质与碳基材在非氧化性气体环境中一起在超过1500℃且2200℃以下的温度下加热;所述非晶质无机陶瓷物质含有硅、碳及氧,且硅、碳及氧的平均元素比为下述组成式(1)所示,并具有包含Si-O-Si键的硅氧烷骨架,氢的质量分率为0质量%~0.5质量%

Si1CaOb        (1)

(式中,a为满足0.5≤a≤3.0的数,b为满足1.0≤b≤4.0的数)。

2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述非晶质无机陶瓷物质是将非熔融性固体状硅酮在非氧化性气体环境下在400℃~1500℃的温度下加热而得。

3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述非熔融性固体状硅酮是将熔融性硅酮树脂进行不熔化处理而得的非熔融性硅酮树脂。

4.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述熔融性硅酮树脂是由下述平均组成式(2)所示:

R1mR2n(OR3)p(OH)qSiO(4-m-n-p-q)/2    (2)

(式中,R1独立表示氢原子或芳基以外的可以含羰基的一价烃基,R2表示苯基,R3表示碳原子数1~4的一价烃基,m为满足0.1≤m≤2的数,n为满足0≤n≤2的数,p为满足0≤p≤1.5的数,q为满足0≤q≤0.35的数,其中,p+q>0,且0.1≤m+n+p+q≤2.6)。

5.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述非熔融性固体状硅酮是硬化性硅酮组成物的硬化物。

6.根据权利要求5所述的碳化硅接合体的制造方法,其特征在于,所述硬化性硅酮组成物是有机过氧化物硬化性硅酮组成物或放射线硬化性硅酮组成物。

7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述硬化性硅酮组成物是包含以下成分的有机过氧化物硬化性硅酮组成物:

(a)含有至少2个键合于硅原子的烯基的有机聚硅氧烷;及

(b)有机过氧化物;及

(c)作为任意成分的含有至少2个键合于硅原子的氢原子的有机氢化聚硅氧烷,相对于全部硬化性硅酮组成物中的烯基每1摩尔,该(c)成分中的键合于硅原子的氢原子的量为0.1摩尔~2摩尔的量。

8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述硬化性硅酮组成物是包含以下成分的紫外线硬化性硅酮组成物:

(d)紫外线反应性有机聚硅氧烷;及

(e)光聚合引发剂。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述(d)成分的紫外线反应性有机聚硅氧烷是下述通式(5a)所示的具有至少2个紫外线反应性基团的有机聚硅氧烷:

[化1]

[式中,R6为相同或不同种类的不具有紫外线反应性基团的未经取代或经取代的一价烃基,R7为相同或不同种类的具有紫外线反应性基团的基团,R8为相同或不同种类的具有紫外线反应性基团的基团,m为5~1,000的整数,n为0~100的整数,f为0~3的整数,g为0~3的整数,其中,f+g+n≥2]。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述紫外线反应性基团是烯基、烯氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、环氧基或氢硅烷基。

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