[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法有效
| 申请号： | 201080043448.1 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102549860A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;足立真宽;德山慎司;住友隆道;上野昌纪;池上隆俊;片山浩二;中村孝夫 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谢丽娜;关兆辉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体激光器 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体激光器元件，其特征在于，包括：激光器构造体，其包含支撑基体及半导体区域，所述支撑基体具有由III族氮化物半导体构成的半极性主面，所述半导体区域设于上述支撑基体的上述半极性主面上；和第1及第2电介质多层膜，其分别设于上述半导体区域的第1及第2端面上，用于该氮化物半导体激光器元件的谐振器，上述半导体区域含有由第1导电型的氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型的氮化镓系半导体构成的第2包覆层、以及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层含有氮化镓系半导体层，表示上述支撑基体的上述III族氮化物半导体的<0001>轴的方向的c+轴向量系，相对于表示上述法线轴的方向的法线向量而向上述III族氮化物半导体的m轴及a轴中的任一结晶轴的方向以45度以上80度以下及100度以上135度以下的范围的角度倾斜，上述第1及第2端面与由上述六方晶系III族氮化物半导体的上述结晶轴及上述法线轴规定的基准面交叉，上述c+轴向量与表示自上述第2端面朝向上述第1端面的方向的波导路向量成锐角，上述第1电介质多层膜的厚度比上述第2电介质多层膜的厚度薄。
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