[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光器元件，其特征在于，包括：

激光器构造体，其包含支撑基体及半导体区域，所述支撑基体具有由III族氮化物半导体构成的半极性主面，所述半导体区域设于上述支撑基体的上述半极性主面上；和

第1及第2电介质多层膜，其分别设于上述半导体区域的第1及第2端面上，用于该氮化物半导体激光器元件的谐振器，

上述半导体区域含有由第1导电型的氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型的氮化镓系半导体构成的第2包覆层、以及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，

上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列，

上述活性层含有氮化镓系半导体层，

表示上述支撑基体的上述III族氮化物半导体的<0001>轴的方向的c+轴向量系，相对于表示上述法线轴的方向的法线向量而向上述III族氮化物半导体的m轴及a轴中的任一结晶轴的方向以45度以上80度以下及100度以上135度以下的范围的角度倾斜，

上述第1及第2端面与由上述六方晶系III族氮化物半导体的上述结晶轴及上述法线轴规定的基准面交叉，

上述c+轴向量与表示自上述第2端面朝向上述第1端面的方向的波导路向量成锐角，

上述第1电介质多层膜的厚度比上述第2电介质多层膜的厚度薄。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述激光器构造体含有第1及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，

上述半导体区域位于上述第1面与上述支撑基体之间，

上述第1及第2端面各自包含在自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘的切断面中。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述III族氮化物半导体的c轴向上述氮化物半导体的m轴的方向倾斜。

4.如权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述支撑基体的主面自{10-11}、{20-21}、{20-2-1}、及{10-1-1}中的任一面以-4度以上4度以下的范围倾斜。

5.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述III族氮化物半导体的c轴向上述氮化物半导体的a轴的方向倾斜。

6.如权利要求1、2或5所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述支撑基体的主面自{11-22}、{11-21}、{11-2-1}、及{11-2-2}中的任一面以-4度以上4度以下的范围倾斜。

7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述活性层含有由氮化镓系半导体构成的阱层，该氮化镓系半导体中作为构成元素含有In且内含应变。

8.如权利要求1至7中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述活性层被设置成产生波长430nm～550nm的振荡光。

9.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述III族氮化物半导体为GaN。

10.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述第1电介质多层膜内的电介质层由如下物质中的至少一种构成：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化钛、氮化钛、氮氧化钛、氧化锆、氮化锆、氮氧化锆、氟化锆、氧化钽、氮化钽、氮氧化钽、氧化铪、氮化铪、氮氧化铪、氟化铪、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氟化镁、氧化镁、氮化镁、氮氧化镁、氟化钙、氟化钡、氟化铈、氧化锑、氧化铋、氧化钆，

上述第2电介质多层膜内的电介质层由如下物质中的至少一种构成：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化钛、氮化钛、氮氧化钛、氧化锆、氮化锆、氮氧化锆、氟化锆、氧化钽、氮化钽、氮氧化钽、氧化铪、氮化铪、氮氧化铪、氟化铪、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氟化镁、氧化镁、氮化镁、氮氧化镁、氟化钙、氟化钡、氟化铈、氧化锑、氧化铋、氧化钆。