[发明专利]具备旋转型门开闭装置的多晶硅铸锭制造装置无效
| 申请号： | 201080042860.1 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102648311A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 金翰成 | 申请（专利权）人： | GLOSIL株式会社 |
| 主分类号： | C30B21/02 | 分类号： | C30B21/02;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供多晶硅铸锭制造装置，包括：真空室，具备一定大小；熔炉，具备于上述真空室内以收容硅原材料；加热器，通过加热熔融上述熔炉内的硅原材料；基座，具备于上述熔炉下侧；冷却板，进行散热以生长上述熔炉内熔融的硅；门开闭装置，具备于上述熔炉和冷却板之间并限制散热，以熔融或生长硅；温度传感器，测量上述熔炉的温度；及控制部，接收上述温度传感器的输出值并控制熔炉内的温度，以确保熔炉内的硅的熔融及均匀的生长；其中，上述门开闭装置包括相隔一定间距形成开放部的第一门及第二门，且包括在上述第一门和第二门之间通过相对旋转选择性地开闭开放部的驱动部。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 旋转 开闭 装置 多晶 铸锭 制造 | ||
【主权项】：
一种多晶硅铸锭制造装置，包括：真空室，具备一定大小；熔炉，具备于所述真空室内以收容硅原材料；加热器，通过加热熔融所述熔炉内的硅原材料；基座，具备于所述熔炉下侧；冷却板，进行散热以生长所述熔炉内熔融的硅；门开闭装置，具备于所述熔炉和所述冷却板之间并限制散热，以熔融或生长硅；温度传感器，测量所述熔炉的温度；及控制部，接收所述温度传感器的输出值并控制所述熔炉内的温度，以确保所述熔炉内的硅的熔融及均匀的生长；其中，所述门开闭装置包括相隔一定间距形成开放部的第一门及第二门，且包括在所述第一门和所述第二门之间通过相对旋转选择性地开闭所述开放部的驱动部。
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