[发明专利]具有量子阱结构的光电子半导体本体有效
| 申请号： | 201080042606.1 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102498626A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | M·彼得;R·布滕戴希;泷哲也;J·奥夫;A·瓦尔特;T·迈耶 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/347;H01S5/343;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;卢江 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明一种光电子半导体本体，其包含由第一成分和与第一成分不同的第二成分组成的半导体材料。该半导体本体具有布置在n导通层（1）和p导通层（5）之间的量子阱结构。该量子阱结构由以下元件构成：单个的量子阱层（31）或由多个量子阱层（31）和至少一个阻挡层（32）构成的层堆叠（3），其中在每两个相继的量子阱层（31）之间布置有阻挡层（32），该阻挡层与两个量子阱层（31）接界；与n导通层（1）和与单个的量子阱层（31）或层堆叠（3）接界的n侧封闭层（2）；和布置在p导通层（4）与单个的量子阱层（31）或层堆叠（3）之间并且与层堆叠（3）或单个的量子阱层（31）接界的p侧封闭层（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 量子 结构 光电子 半导体 本体 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体本体，其包含由第一成分和与第一成分不同的第二成分组成的半导体材料并且具有布置在n导通层（1）和p导通层（5）之间的多重量子阱结构，该多重量子阱结构由以下各项构成‑ 由多个量子阱层（31）和至少一个阻挡层（32）构成的层堆叠（3），其中在每两个相继的量子阱层（31）之间布置有阻挡层（32），该阻挡层与两个量子阱层（31）接界；‑ 与层堆叠（3）和n导通层（1）接界的n侧封闭层（2）；和‑ 布置在层堆叠（3）与p导通层（4）之间并且与层堆叠（3）接界的p侧封闭层（4），其中半导体材料的第一成分的物质量份额（x）‑ 在量子阱层（31）的每一个中比在n侧封闭层（2）中、在至少一个阻挡层（32）中和在p侧封闭层（4）中大；并且‑ 在n侧封闭层（2）中比在n导通层（1）中大，并且在p侧封闭层（4）中比在p导通层（5）中大。
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