[发明专利]具有量子阱结构的光电子半导体本体

权利要求书

1.一种光电子半导体本体，其包含由第一成分和与第一成分不同的第二成分组成的半导体材料并且具有布置在n导通层（1）和p导通层（5）之间的多重量子阱结构，该多重量子阱结构由以下各项构成

- 由多个量子阱层（31）和至少一个阻挡层（32）构成的层堆叠（3），其中在每两个相继的量子阱层（31）之间布置有阻挡层（32），该阻挡层与两个量子阱层（31）接界；

- 与层堆叠（3）和n导通层（1）接界的n侧封闭层（2）；和

- 布置在层堆叠（3）与p导通层（4）之间并且与层堆叠（3）接界的p侧封闭层（4），其中半导体材料的第一成分的物质量份额（x）

- 在量子阱层（31）的每一个中比在n侧封闭层（2）中、在至少一个阻挡层（32）中和在p侧封闭层（4）中大；并且

- 在n侧封闭层（2）中比在n导通层（1）中大，并且在p侧封闭层（4）中比在p导通层（5）中大。

2.根据权利要求1的光电子半导体本体，其中n导通层（1）具有p侧边缘区域（11），该p侧边缘区域与n侧封闭层（2）的n侧边缘区域（22）接界，并且n导通层（1）的p侧边缘区域（11）和n侧封闭层（2）的n侧边缘区域（22）用n掺杂物来掺杂，并且n侧封闭层（2）具有p侧边缘区域（21），该p侧边缘区域与层堆叠（3）尤其是直接接界并且标称上未掺杂。

3.根据前述权利要求之一的光电子半导体本体，其中半导体材料的第一成分的物质量份额（x）在至少一个阻挡层（32）中至少如在n侧封闭层（2）中那样大。

4.根据前述权利要求之一的光电子半导体本体，其中半导体材料的第一成分的物质量份额（x）在至少一个阻挡层（32）中至少如在p侧封闭层（4）中那样大。

5.根据前述权利要求之一的光电子半导体本体，其中半导体材料的第一成分的物质量份额（x）在n侧封闭层（2）中、在至少一个阻挡层（32）中以及在p侧封闭层（4）中同样大。

6.一种光电子半导体本体，其包含由第一成分和与第一成分不同的第二成分组成的半导体材料并且具有布置在n导通层（1）和p导通层（5）之间的单重量子阱结构，该单重量子阱结构由以下各项构成

- 单个的量子阱层（31）；

- 与量子阱层（31）和n导通层（1）接界的n侧封闭层（2）；和

- 布置在量子阱层（3）与p导通层（4）之间并且与量子阱层（31）接界的p侧封闭层（4），

其中半导体材料的第一成分的物质量份额（x）

- 在量子阱层（31）中比在n侧封闭层（2）中和在p侧封闭层（4）中大；并且

- 在n侧封闭层（2）中比在n导通层（1）中大，并且在p侧封闭层（4）中比在p导通层（5）中大。

7.根据前述权利要求之一的光电子半导体本体，其中n导通层（1）具有p侧边缘区域（11），该p侧边缘区域与n侧封闭层（2）的n侧边缘区域（22）接界，并且n导通层（1）的p侧边缘区域（11）和n侧封闭层（2）的n侧边缘区域（22）用n掺杂物来掺杂。

8.根据前述权利要求之一的光电子半导体本体，其中n侧封闭层（2）具有p侧边缘区域（21），该p侧边缘区域与层堆叠（3）或与单个的量子阱层（31）尤其是直接接界并且标称上未掺杂。

9.根据前述权利要求之一的光电子半导体本体，其中n侧封闭层（2）具有大于或等于10nm、尤其是大于或等于50nm的层厚度（d）。

10.根据权利要求7的光电子半导体本体，其中n侧封闭层（2）的p侧边缘区域（21）具有大于或等于10nm的层厚度。

11.根据前述权利要求之一的光电子半导体本体，其中半导体材料的第一成分由In构成，并且半导体材料的第二成分包含氮和由Al和Ga构成的组中的至少一种材料。

12.根据权利要求11的光电子半导体本体，其中半导体材料是In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1以及x+y≤1，并且n侧封闭层中的由In构成的第一成分具有x≥0.05的份额。

13.根据前述权利要求之一的光电子半导体本体，其中n导通层（1）不具有半导体材料的第一成分。