[发明专利]具有增强的存储器单元隔离的存储器装置,包括所述存储器装置的系统及形成所述存储器装置的方法有效
申请号: | 201080041990.3 | 申请日: | 2010-09-10 |
公开(公告)号: | CN102498566A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 包括可变电阻材料的存储器装置的存储器单元在所述存储器单元之间具有空腔。电子系统包括此些存储器装置。形成存储器装置的方法包括在所述存储器装置的存储器单元之间提供空腔。 | ||
搜索关键词: | 具有 增强 存储器 单元 隔离 装置 包括 系统 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器装置,其包含:至少第一存储器单元及第二存储器单元,其位于衬底上,每一存储器单元包含:第一电极;第二电极;及一定体积的可变电阻材料,其位于所述第一电极与所述第二电极之间;空腔,其安置于所述至少第一存储器单元与所述第二存储器单元之间;及电介质材料,所述电介质材料在其与所述衬底相对的一侧上在所述至少第一存储器单元及所述第二存储器单元上方及其之间延伸,所述电介质材料至少部分地界定所述空腔的边界。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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