[发明专利]具有增强的存储器单元隔离的存储器装置,包括所述存储器装置的系统及形成所述存储器装置的方法有效

专利信息
申请号: 201080041990.3 申请日: 2010-09-10
公开(公告)号: CN102498566A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 刘峻 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L21/8247
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 增强 存储器 单元 隔离 装置 包括 系统 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,其包含:

至少第一存储器单元及第二存储器单元,其位于衬底上,每一存储器单元包含:

第一电极;

第二电极;及

一定体积的可变电阻材料,其位于所述第一电极与所述第二电极之间;

空腔,其安置于所述至少第一存储器单元与所述第二存储器单元之间;及

电介质材料,所述电介质材料在其与所述衬底相对的一侧上在所述至少第一存储器单元及所述第二存储器单元上方及其之间延伸,所述电介质材料至少部分地界定所述空腔的边界。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述电介质材料包含非保形电介质材料。

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其进一步包含所述至少第一存储器单元及所述第二存储器单元中的每一者的所述体积的可变电阻材料的至少一部分上的钝化材料,所述钝化材料部分地界定所述空腔的所述边界。

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中所述非保形电介质材料安置于所述钝化材料的一部分上。

5.根据权利要求3所述的存储器装置,其中所述空腔从所述至少第一存储器单元的所述体积的可变电阻材料的所述至少一部分上的所述钝化材料的一部分延伸到形成于所述第二存储器单元的所述体积的可变电阻材料的所述至少一部分上的所述钝化材料的一部分。

6.根据权利要求2所述的存储器装置,其中所述至少第一存储器单元的一部分、所述第二存储器单元的一部分及所述非保形电介质材料的一部分至少部分地包封所述空腔。

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述经包封空腔包含真空。

8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述体积的可变电阻材料包含相变材料。

9.一种存储器装置,其包含:

真空空腔,其安置于第一存储器单元的一定体积的可变电阻材料与第二存储器单元的一定体积的可变电阻材料之间;及

非保形电介质材料,其在所述第一存储器单元及所述第二存储器单元中的每一者的一端上方及其之间延伸,所述真空空腔至少部分地由所述非保形电介质材料定界。

10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中所述真空空腔的第一部分直接安置于所述第一存储器单元的所述体积的可变电阻材料与所述第二存储器单元的所述体积的可变电阻材料之间,且所述真空空腔的第二部分直接安置于所述第一存储器单元的电极与所述第二存储器单元的电极之间。

11.一种存储器装置,其包含:

衬底;

多个存储器单元,所述多个存储器单元中的至少两个邻近存储器单元各自包含:

第一电极,其安置于所述衬底上方;

第二电极;及

一定体积的可变电阻材料,其安置于所述第一电极与所述第二电极之间;

非保形电介质材料,其在所述至少两个邻近存储器单元中的每一者的远端上方及其之间延伸;及

真空空腔,其安置于所述至少两个邻近存储器单元之间及所述衬底与所述非保形电介质材料之间。

12.一种形成存储器装置的方法,所述方法包含:

移除安置于第一存储器单元与第二存储器单元之间的材料以在所述第一存储器单元与所述第二存储器单元之间形成空腔;及

形成电介质材料,所述电介质材料在所述第一存储器单元及所述第二存储器单元上方及其之间延伸以至少实质上包封所述第一存储器单元与所述第二存储器单元之间的所述空腔。

13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包含将所述第一存储器单元及所述第二存储器单元中的每一者形成为包含相变材料。

14.根据权利要求13所述的方法,其中移除安置于所述第一存储器单元与所述第二存储器单元之间的材料包含暴露所述第一存储器单元的电极的一部分及暴露所述第二存储器单元的电极的一部分。

15.根据权利要求14所述的方法,其中移除安置于所述第一存储器单元与所述第二存储器单元之间的材料包含暴露所述第一存储器单元的所述相变材料的一部分及暴露所述第二存储器单元的所述相变材料的一部分。

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