[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080041841.7 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102511082A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;津吹将志;乡户宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者-25℃至-150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在具有绝缘表面的衬底之上的栅电极层；在所述栅电极层之上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层之上的源电极层和漏电极层；以及与所述氧化物半导体层的一部分、所述源电极层和所述漏电极层相接触的保护绝缘层，其中阈值电压的变化量在室温至180℃的温度范围中小于或等于3V。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080041841.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
