[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080041841.7 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102511082A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;津吹将志;乡户宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
在具有绝缘表面的衬底之上的栅电极层；
在所述栅电极层之上的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层之上的源电极层和漏电极层；以及
与所述氧化物半导体层的一部分、所述源电极层和所述漏电极层相接触的保护绝缘层，
其中阈值电压的变化量在室温至180℃的温度范围中小于或等于3V。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层的沟道长度大于或等于1.5μm且小于或等于100μm。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层的沟道长度大于或等于3μm且小于或等于100μm。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是从包括电子书阅读器、电视机、数码相框、游戏机、计算机和移动电话的组中选取的一个。
5.一种半导体器件，包括：
在具有绝缘表面的衬底之上的栅电极层；
在所述栅电极层之上的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层之上的源电极层和漏电极层；以及
与所述氧化物半导体层的一部分、所述源电极层和所述漏电极层相接触的保护绝缘层，
其中阈值电压的变化量在室温至180℃的温度范围中小于或等于1.5V。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层的沟道长度大于或等于1.5μm且小于或等于100μm。
7.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层的沟道长度大于或等于3μm且小于或等于100μm。
8.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是从包括电子书阅读器、电视机、数码相框、游戏机、计算机和移动电话的组中选取的一个。
9.一种半导体器件，包括：
在具有绝缘表面的衬底之上的栅电极层；
在所述栅电极层之上的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层之上的源电极层和漏电极层；以及
与所述氧化物半导体层的一部分、所述源电极层和所述漏电极层相接触的保护绝缘层，
其中阈值电压的变化量在-25℃至150℃的温度范围中小于或等于3V。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层的沟道长度大于或等于1.5μm且小于或等于100μm。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层的沟道长度大于或等于3μm且小于或等于100μm。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是从包括电子书阅读器、电视机、数码相框、游戏机、计算机和移动电话的组中选取的一个。
13.一种半导体器件，包括：
在具有绝缘表面的衬底之上的栅电极层；
在所述栅电极层之上的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层之上的源电极层和漏电极层；以及
与所述氧化物半导体层的一部分、所述源电极层和所述漏电极层相接触的保护绝缘层，
其中阈值电压的变化量在-25℃至150℃的温度范围中小于或等于1.5V。
14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层的沟道长度大于或等于1.5μm且小于或等于100μm。
15.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体层的沟道长度大于或等于3μm且小于或等于100μm。
16.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是从包括电子书阅读器、电视机、数码相框、游戏机、计算机和移动电话的组中选取的一个。
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