[发明专利]ZnO系透明导电膜用靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201080041823.9 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102549191A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 福岛英子 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/453;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有高烧结密度的、添加了硼(B)及钒(V)两者的ZnO系透明导电膜用靶及其制造方法。本发明的靶的特征在于，其为ZnO系透明导电膜用靶，所述靶是硼量以B2O3/(ZnO+B2O3+V2O3)×100的氧化物换算为0.5～10质量％、钒量以V2O3/(ZnO+B2O3+V2O3)×100的氧化物换算为0.05～5质量％、密度以相对密度计为90％以上的氧化物烧结体。本发明的制造方法使用H3BO3粉末作为硼源，使用V2O3粉末作为钒源。制造方法中，优选将混合H3BO3粉末和ZnO粉末或进一步混合V2O3粉末并预烧结而得到的预烧结粉末作为烧结原料进行烧结。 | ||
| 搜索关键词： | zno 透明 导电 膜用靶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO系透明导电膜用靶，其特征在于，其是硼量以B2O3/(ZnO+B2O3+V2O3)×100的氧化物换算为0.5～10质量％、钒量以V2O3/(ZnO+B2O3+V2O3)×100的氧化物换算为0.05～5质量％、密度以相对密度计为90％以上的氧化物烧结体。
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