[发明专利]ZnO系透明导电膜用靶及其制造方法

权利要求书

1.一种ZnO系透明导电膜用靶，其特征在于，其是硼量以B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100的氧化物换算为0.5～10质量％、钒量以V₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100的氧化物换算为0.05～5质量％、密度以相对密度计为90％以上的氧化物烧结体。

2.根据权利要求1所述的ZnO系透明导电膜用靶，其特征在于，含有以3价氧化物换算分别为2质量％以下的铝和/或镓。

3.一种ZnO系透明导电膜用靶的制造方法，其特征在于，所述ZnO系透明导电膜用靶由含有硼和钒、且硼量以B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100的氧化物换算为0.5～10质量％、钒量以V₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100的氧化物换算为0.05～5质量％的氧化物烧结体制成，使用H₃BO₃粉末作为硼源，使用V₂O₃粉末作为钒源。

4.根据权利要求3所述的ZnO系透明导电膜用靶的制造方法，其特征在于，ZnO系透明电极用靶含有以3价氧化物换算分别为2质量％以下的铝和/或镓。

5.根据权利要求3或4所述的ZnO系透明导电膜用靶的制造方法，其特征在于，烧结温度为700～1050℃，烧结气氛为非还原性气氛。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的ZnO系透明导电膜用靶的制造方法，其特征在于，将混合H₃BO₃粉末和ZnO粉末或进一步混合V₂O₃粉末并预烧结而得到的预烧结粉末作为烧结原料进行烧结。

7.根据权利要求6所述的ZnO系透明导电膜用靶的制造方法，其特征在于，将预烧结粉末的组成设为以B₂O₃/(ZnO+B₂O₃+V₂O₃)×100的氧化物换算为0.5～45质量％，向所述预烧结粉末中混合ZnO粉末或V₂O₃的任一种或者两者，进行烧结，获得相对密度为90％以上的烧结体。

8.根据权利要求6或者7所述的ZnO系透明导电膜用靶的制造方法，其特征在于，将预烧结温度设为100～500℃。