[发明专利]电力储存设备及其制备方法有效
| 申请号： | 201080041544.2 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102549817A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 村上智史;川上贵洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/1397 | 分类号： | H01M4/1397;H01M4/136;H01M4/58;H01M10/052;H01M10/054 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孔青;林毅斌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于：增加能离开和进入活性材料的离子的数量，以增加蓄电池的容量。本发明涉及电力储存设备的制备方法，所述设备包含使用至少含有碱金属和过渡金属的复合氧化物形成的正极活性材料。所述方法包括以下步骤：在支持衬底上形成基底层，在基底层上形成磷酸铁锂层或磷酸铁钠层，以及通过热处理转化磷酸铁锂层或磷酸铁钠层，从而使用晶轴定向于<010>方向的具有橄榄石结构的单晶磷酸铁锂层或具有橄榄石结构的单晶磷酸铁钠层作为正极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电力 储存 设备 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
包含使用至少含有碱金属和过渡金属的复合氧化物形成的正极活性材料的电力储存设备的制备方法，所述制备方法包括：在支持衬底上形成基底层，在所述基底层上形成磷酸铁钠层，以及通过在所述磷酸铁钠层上实施热处理，将所述磷酸铁钠层转化为单晶磷酸铁钠层，形成晶轴定向于<010>方向的具有橄榄石结构的所述单晶磷酸铁钠层作为正极活性材料。
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