[发明专利]电力储存设备及其制备方法有效
| 申请号： | 201080041544.2 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102549817A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 村上智史;川上贵洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/1397 | 分类号： | H01M4/1397;H01M4/136;H01M4/58;H01M10/052;H01M10/054 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孔青;林毅斌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电力 储存 设备 及其 制备 方法 | ||
1.包含使用至少含有碱金属和过渡金属的复合氧化物形成的正极活性材料的电力储存设备的制备方法，所述制备方法包括：
在支持衬底上形成基底层，
在所述基底层上形成磷酸铁钠层，以及
通过在所述磷酸铁钠层上实施热处理，将所述磷酸铁钠层转化为单晶磷酸铁钠层，形成晶轴定向于<010>方向的具有橄榄石结构的所述单晶磷酸铁钠层作为正极活性材料。
2.权利要求1的电力储存设备的制备方法，其中，所述基底层使用选自β-Ta、Cu2[Cd0.79Fe0.17Mn0.04]GeS4、Cu2FeGeS4、CuFeS2、CuGaS2、Cu3[As0.644Sb0.356]S4、Cu9Fe9S16、CaV3O7、WO3·H2O、Fe2SiO4、Mg2SiO4、Li3PO4、Cu3Fe4[VO4]6、[Fe0.292Mg0.708]2SiO4、NaSiO3和LiAlSiO4·H2O的材料形成。
3.权利要求1的电力储存设备的制备方法，其中，所述磷酸铁钠层通过热处理外延生长成为所述单晶磷酸铁钠层。
4.权利要求1的电力储存设备的制备方法，其中，所述支持衬底选自硅衬底、蓝宝石衬底、玻璃衬底和陶瓷衬底。
5.权利要求1的电力储存设备的制备方法，其中，所述支持衬底为硅衬底，且所述基底层形成于硅衬底的(100)平面上。
6.权利要求1的电力储存设备的制备方法，其中，所述磷酸铁钠层通过溅射法形成。
7.包含使用至少含有碱金属和过渡金属的复合氧化物形成的正极活性材料的电力储存设备的制备方法，所述制备方法包括：
在支持衬底层上形成基底层，
在所述基底层上形成磷酸铁锂层，以及
通过在所述磷酸铁锂层上实施热处理，将所述磷酸铁锂层转化为单晶磷酸铁锂层，形成晶轴定向于<010>方向的具有橄榄石结构的所述单晶磷酸铁锂层作为正极活性材料。
8.权利要求7的电力储存设备的制备方法，其中，所述基底层使用选自β-Ta、Cu2[Cd0.79Fe0.17Mn0.04]GeS4、Cu2FeGeS4、CuFeS2、CuGaS2、Cu3[As0.644Sb0.356]S4、Cu9Fe9S16、CaV3O7、WO3·H2O、Fe2SiO4、Mg2SiO4、Li3PO4、Cu3Fe4[VO4]6、[Fe0.292Mg0.708]2SiO4、NaSiO3和LiAlSiO4·H2O的材料形成。
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