[发明专利]脉冲沉积与再结晶以及利用结晶化/非晶物质的堆叠式太阳能电池设计无效
| 申请号: | 201080040505.0 | 申请日: | 2010-08-11 | 
| 公开(公告)号: | CN102576655A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 | 
| 发明(设计)人: | 海伦·L·梅纳德;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;维克拉姆·辛;克里斯多夫·R·汉特曼;卢多维克·葛特 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 | 
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 | 
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 | 
| 地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | 本发明揭示一种使材料在基板上沉积且结晶的方法。在一特定实施例中,所述方法可包含产生含有与沉积相关的物质以及携带能量的物质的电浆。在第一时间段期间,无偏压电压施加于所述基板,且物质经由电浆沉积而沉积于所述基板上。在第二时间段期间,电压施加于所述基板,所述电压吸引离子且吸引至所述沉积物质中,从而引起所述沉积层结晶。可重复所述程序直至获得足够厚度。在另一实施例中,可改变所述偏压电压或偏压脉冲的持续时间以改变所发生的结晶化程度。在另一实施例中,可使用掺杂剂掺杂所述沉积层。 | ||
| 搜索关键词: | 脉冲 沉积 再结晶 以及 利用 结晶 物质 堆叠 太阳能电池 设计 | ||
【主权项】:
                一种使材料在基板上生长的方法,其包括:提供电浆腔室,其中所述电浆腔室包括用以自供给气体产生电浆的天线;将所述基板置放于所述电浆腔室中的压板上,可对所述压板加偏压到多个电压;向所述电浆腔室供给第一物质;向所述电浆腔室供给第二物质;进行电浆沉积期,其中来自第一物质的材料在第一操作条件下沉积于所述基板上;以及在第二操作条件下进行离子植入期,其中所述第二物质的离子植入在所述电浆沉积期期间沉积的所述材料中。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
                
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