[发明专利]脉冲沉积与再结晶以及利用结晶化/非晶物质的堆叠式太阳能电池设计

权利要求书

1.一种使材料在基板上生长的方法，其包括：

提供电浆腔室，其中所述电浆腔室包括用以自供给气体产生电浆的天线；

将所述基板置放于所述电浆腔室中的压板上，可对所述压板加偏压到多个电压；

向所述电浆腔室供给第一物质；

向所述电浆腔室供给第二物质；

进行电浆沉积期，其中来自第一物质的材料在第一操作条件下沉积于所述基板上；以及

在第二操作条件下进行离子植入期，其中所述第二物质的离子植入在所述电浆沉积期期间沉积的所述材料中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一操作条件以及所述第二操作条件各包括所述压板的偏压电压、所述偏压电压的脉冲持续时间、所述天线的功率、所述腔室内的压力、所述第一物质的流动速率或所述第二物质的流动速率。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一物质包括与沉积相关的气体。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一物质包括硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二物质包括携带能量的气体。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第二物质包括惰性气体。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一操作条件包括施加于所述压板的接地电压。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第二操作条件包括施加于所述压板的第二电压，所述第二电压比所述第一操作条件期间施加于所述压板的第一电压负得更多。

9.如权利要求1所述的方法，其中方形波电压施加于所述压板。

10.如权利要求1所述的方法，其中重复多次所述电浆沉积期以及所述离子植入期。 

11.一种制造具有多个带隙能量的材料的方法，其包括：

提供电浆腔室，其中所述电浆腔室包括用以自供给气体产生电浆的天线；

将所述基板置放于所述电浆腔室中的压板上，可对所述压板加偏压到多个电压；

向所述电浆腔室供给第一物质；

向所述电浆腔室供给第二物质；

进行第一电浆沉积期，其中来自所述第一物质的材料在第一操作条件下沉积于所述基板上；

在第二操作条件下进行第一离子植入期，其中所述第二物质的离子植入所述第一电浆沉积期期间沉积的所述材料中以使所述材料结晶达到第一结晶化程度；

重复所述第一电浆沉积期以及所述第一离子植入期多次以产生所述第一结晶化程度的所述材料的层；

进行第二电浆沉积期，其中来自所述第一物质的材料在第三操作条件下沉积于所述基板上；

在第四操作条件下进行第二离子植入期，其中所述第二物质的离子植入所述第二电浆沉积期期间沉积的所述材料中以使所述材料结晶达到第二结晶化程度，其中所述第一结晶化程度的所述材料与所述第二结晶化程度的所述材料具有不同带隙能量；以及

重复所述第二电浆沉积期以及所述第二离子植入期多次以产生所述第二结晶化程度的所述材料的层。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一操作条件、所述第二操作条件、所述第三操作条件以及所述第四操作条件各包括所述压板的偏压电压、所述偏压电压的脉冲持续时间、所述天线的功率、所述腔室内的压力、所述第一物质的流动速率或所述第二物质的流动速率。

13.如权利要求11所述的方法，其进一步包括

进行第三电浆沉积期，其中来自所述第一物质的材料在第五操作条件下沉积于所述基板上；

在第六操作条件下进行第三离子植入期，其中所述第二物质的离子 植入在所述第三电浆沉积期期间沉积的所述材料中以使所述沉积的材料结晶达到第三结晶化程度，其中所述第一结晶化程度以及所述第二结晶化程度的所述材料与所述第三结晶化程度的所述材料具有不同带隙能量；以及

重复所述第三电浆沉积期以及所述第三离子植入期多次以产生所述第三结晶化程度的所述材料的层。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述材料包括多个结晶化程度，其中所述结晶化程度中的每一者包括相关带隙能量。