[发明专利]具有提高的量子效率的发光二极管和制造方法无效
| 申请号： | 201080039739.3 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102484175A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 苏杰;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·科吉里;L·陈;石川哲也 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/04;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍;钱孟清 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 量子阱结构的一个实施方式包含有源区，所述有源区包括有源层，所述有源层包含量子阱和障壁层，其中有源层中的一些或全部为p型掺杂的。P型掺杂有源层中的一些或全部通过将P-N结的位置定位在元件的有源区中进而使主要辐射复合能够发生在有源区内，来改良III-V化合物半导体发光二极管的量子效率。在一个实施方式中，在具有含共晶源合金的氢化物气相外延(HVPE)沉积腔室的组合工具中制造量子阱结构。在一个实施方式中，通过组合工具在分离腔室中生长氮化铟镓(InGaN)层和镁掺杂的氮化镓(Mg-GaN)或镁掺杂的氮化铝镓(Mg-AlGaN)层，避免铟与镁交叉污染。也描述了通过使用III族金属共晶的氢化物气相外延进行对III族氮化物的掺杂。在一个实施方式中，提供用于p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的源，所述源包括与III族物种的液相机械(共晶)混合物。在一个实施方式中，提供用于执行p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的方法，所述方法包括使用与III族物种的液相机械(共晶)混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 提高 量子 效率 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，所述半导体元件包含：有源区，所述有源区包括一个或更多个有源层，其中所述一个或更多个有源层包含一个或更多个量子阱和一个或更多个障壁层，其中所述一个或更多个有源层中的一些或全部为p型掺杂的。
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