[发明专利]半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201080038691.4 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102498542A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 山田永;秦雅彦;横山正史;竹中充;高木信一;安田哲二;高木秀树;卜部友二 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而仅在常温下使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 场效应 晶体管 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其特征在于，基板、绝缘体层和半导体层从所述基板一侧开始按该顺序定位，所述基板和所述绝缘体层相接，且所述绝缘体层和所述半导体层相接，所述绝缘体层由非晶状金属氧化物或者非晶状金属氮化物构成，所述半导体层通过晶体生长而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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