[发明专利]半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，其特征在于，

基板、绝缘体层和半导体层从所述基板一侧开始按该顺序定位，

所述基板和所述绝缘体层相接，且所述绝缘体层和所述半导体层相接，

所述绝缘体层由非晶状金属氧化物或者非晶状金属氮化物构成，

所述半导体层通过晶体生长而形成。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述绝缘体层由Al₂O₃、AlN、Ta₂O₅、ZrO₂、HfO₂当中的至少一种构成。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体基板，其特征在于，

所述半导体层是III-V族化合物半导体层。

4.根据权利要求1至3任何一项所述的半导体基板，其特征在于，

所述绝缘体层和所述半导体层相接的面上的所述半导体层，以硫原子进行了终端化。

5.一种场效应晶体管，其特征在于，

在权利要求1至4任何一项所述的半导体基板的所述半导体层上，包括被电连接的源电极和漏电极。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，

在所述基板上包括栅电极，

将所述绝缘体层的一部分作为栅极绝缘层。

7.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，

在与所述半导体层和所述绝缘体层相接的面对置的所述半导体层的另一个面上，隔着第2绝缘体层而具备栅电极，

将所述第2绝缘体层的一部分作为栅极绝缘膜。

8.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，包括：

所述基板上具备的第1栅电极；以及

在与所述半导体层和所述绝缘体层相接的面对置的所述半导体层的另一个面上，隔着第2绝缘体层而具备的第2栅电极，

将所述绝缘体层以及/或者所述第2绝缘体层的一部分作为栅极绝缘膜。

9.根据权利要求5至8任何一项所述的场效应晶体管，其特征在于，

所述半导体层的厚度是20nm以下。

10.一种集成电路，包括：

权利要求5至9任何一项所述的场效应晶体管。

11.一种半导体基板的制造方法，包括：

半导体层形成步骤，在半导体层形成基板上通过外延晶体生长法形成半导体层；

绝缘体层形成步骤，在所述半导体层上通过原子层沉积法来成膜绝缘体层；

接合步骤，将基板接合到所述绝缘体层上；以及

除去步骤，从所述半导体层除去所述半导体层形成基板。

12.根据权利要求11所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述接合步骤，通过将所述基板上预先形成的基板侧绝缘体层和所述半导体层上的所述绝缘体层进行接合，从而将所述基板接合到所述绝缘体层上。

13.根据权利要求11或者12所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

在所述半导体形成步骤和所述绝缘体层形成步骤之间，包括对所述半导体层的表面进行硫终端处理的硫终端处理步骤。

14.根据权利要求11至13的任何一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

在所述绝缘体层形成步骤和所述接合步骤之间，包括对所述绝缘体层的表面进行亲水化处理的亲水化处理步骤。

15.根据权利要求14所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

在所述亲水化处理步骤中，所述亲水化处理是射束照射。

16.根据权利要求15所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述接合步骤是在室温下进行的。

17.根据权利要求11至16的任何一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述半导体层由III-V族化合物半导体层构成。

18.根据权利要求11至17的任何一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述绝缘体层由Al₂O₃、AlN、Ta₂O₅、ZrO₂、HfO₂、SiO、SiN、SiON当中的至少一种构成。