[发明专利]半导体装置、具有半导体装置的液晶显示装置、半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201080038623.8 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102484137A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 高泽悟;白井雅纪;石桥晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不从氧化物半导体或氧化物薄膜剥离，此外铜原子不扩散至氧化物半导体或氧化物薄膜中的电极膜。以Cu-Mg-Al薄膜的高密接性阻挡膜(37)和铜薄膜(38)构成电极层，使高密接性阻挡膜(37)与氧化物半导体或氧化物薄膜接触。高密接性阻挡膜(37)中，在铜、镁、及铝的合计原子数为100at％时，含有镁0.5at％以上5at％以下，含有铝5at％以上15at％以下，在此范围内可兼顾密接性与阻挡性。源极电极层(51)和漏极电极层(52)与氧化物半导体层(34)接触，所以该电极层为合适的，还能将由氧化物构成的停止层(36)配置在电极层的下层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 具有 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中包括：氧化物半导体层；以及与所述氧化物半导体层接触的电极层，所述电极层包括与所述氧化物半导体层接触的高密接性阻挡膜和与所述高密接性阻挡膜接触的铜薄膜，所述高密接性阻挡膜含有铜、镁、和铝，在铜、镁、和铝的合计原子数为100at％时，镁的范围为0.5at％以上5at％以下，铝的范围为5at％以上15at％以下。
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