[发明专利]半导体装置、具有半导体装置的液晶显示装置、半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中包括：

氧化物半导体层；以及

与所述氧化物半导体层接触的电极层，

所述电极层包括与所述氧化物半导体层接触的高密接性阻挡膜和与所述高密接性阻挡膜接触的铜薄膜，

所述高密接性阻挡膜含有铜、镁、和铝，在铜、镁、和铝的合计原子数为100at％时，镁的范围为0.5at％以上5at％以下，铝的范围为5at％以上15at％以下。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述电极层具有互相分离的源极电极层和漏极电极层，

所述源极电极层和所述漏极电极层，分别与所述氧化物半导体层的源极区域和漏极区域接触，

是在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域，将栅极绝缘膜夹在中间而配置了栅极电极层的晶体管。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中

在所述氧化物半导体层上配置有由氧化物构成的绝缘膜，所述源极电极层和所述漏极电极层配置在所述绝缘膜的表面，在所述绝缘膜的连接孔的内周面配置有所述源极电极层和所述漏极电极层的高密接性阻挡膜，所述绝缘膜形成在所述源极区域上和所述漏极区域上。

4.一种液晶显示装置，其中包括：

权利要求1至3的任一项所述的半导体装置、像素电极、配置在所述像素电极上的液晶、及位于所述液晶上的上部电极，

所述像素电极与所述电极层电连接。

5.一种半导体装置的制造方法，其中所述半导体装置包括：

氧化物半导体层；以及

与所述氧化物半导体层接触的电极层，

所述电极层包括与所述氧化物半导体层接触的高密接性阻挡膜和与所述高密接性阻挡膜接触的铜薄膜，

所述高密接性阻挡膜，含有铜、镁、和铝，在铜、镁、和铝的合计原子数为100at％时，镁的范围为0.5at％以上5at％以下，铝的范围为5at％以上15at％以下，在所述半导体装置的制造方法中，

在所述氧化物半导体层的表面形成氧化物薄膜，部分除去所述氧化物薄膜而形成由所述氧化物薄膜构成的停止层，在除去了所述氧化物薄膜的部分使所述氧化物半导体层露出，

在所述停止层上和所述源极区域上和所述漏极区域上，形成与露出的所述氧化物半导体层的表面接触的所述高密接性阻挡膜，在所述高密接性阻挡膜上形成所述铜薄膜而形成所述电极层。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中

在所述氧化物半导体层的所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域上形成栅极绝缘膜，

在所述栅极绝缘膜上配置栅极电极层，

在使所述氧化物半导体层的所述源极区域和所述漏极区域露出的状态下，与所述源极区域和所述漏极区域接触地形成所述电极层的所述高密接性阻挡膜。