[发明专利]抗蚀剂剥离剂组合物和使用该组合物的抗蚀剂的剥离方法有效

专利信息
申请号: 201080038222.2 申请日: 2010-09-01
公开(公告)号: CN102483591A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 水田浩德;柿沢政彦 申请(专利权)人: 和光纯药工业株式会社
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;张志楠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物和以使用该组合物为特征的抗蚀剂的剥离方法,所述半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物能够简便且容易地将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂剥离。本发明是关于半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物的发明,其特征在于,该组合物含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂,且pH小于7;并且本发明是关于抗蚀剂的剥离方法的发明,其特征在于,该方法使用该组合物。
搜索关键词: 抗蚀剂 剥离 组合 使用 方法
【主权项】:
一种半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物,其特征在于,其含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂,且pH小于7。
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