[发明专利]抗蚀剂剥离剂组合物和使用该组合物的抗蚀剂的剥离方法

说明书

技术领域

本发明涉及照相平版印刷工艺中的光致抗蚀剂和其残渣(以下，有时将它们简称为抗蚀剂。)的剥离剂组合物以及使用该组合物的抗蚀剂的剥离方法。更详细地说，本发明涉及如下的抗蚀剂剥离剂组合物和抗蚀剂的剥离方法：所述抗蚀剂剥离剂组合物能够将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂剥离，进而其不对处于该抗蚀剂的下部的氧化硅膜等造成不良影响，能够将抗蚀剂剥离；所述抗蚀剂的剥离方法的特征在于使用上述组合物。

背景技术

在例如集成电路、晶体管等半导体制造过程中，光致抗蚀剂被用于形成微细图案的照相平版印刷工艺等中。例如在硅基板上以所期望的图案形成氧化硅膜的情况下，通过例如以下工序对基板进行处理。即，首先，在硅基板的表面形成氧化硅膜，在该氧化硅膜上涂布光致抗蚀剂后，形成抗蚀剂膜。接下来，使用与所期望的图案对应的光掩模进行曝光、显影，从而得到所期望的图案。进而，对于得到了所期望的图案的该基板，以该图案为掩模，通过等离子体掺杂等蚀刻工序除去不要的氧化膜。最后，进行抗蚀剂的除去和基板表面的清洗，从而可以得到形成有所期望的图案的氧化硅膜。

作为除去上述蚀刻工序后再不需要的抗蚀剂的方法，主要已知基于氧等离子体灰化等灰化的干式灰化方式(例如专利文献1等)和在含有各种添加剂的剥离溶剂中浸渍等湿式方式这两种方法。作为干式灰化方式的一例的氧等离子体灰化是利用氧气等离子体和抗蚀剂的反应将抗蚀剂分解、灰化并除去的方法，该方法被称为无公害法，但在通过灰化除去抗蚀剂时，若不精确地检测反应终点，则具有基板表面容易受到损伤的问题和基板表面容易附着、残存颗粒的问题。并且，还具有需要通常用于产生等离子体的昂贵设备等问题。另一方面，作为湿式方式，已知下述方法：例如作为无机系剥离溶剂，利用通过热浓硫酸和过氧化氢的反应得到的过一硫酸(卡罗酸)的强氧化力而将抗蚀剂无机物化(灰化)，从而将其除去(例如专利文献2等)。但是，该方法必须使用高温的浓硫酸，不仅具有危险性高的问题，而且具有强氧化力的热混合酸在金属表面生成无用的氧化物或者将金属溶解，因此还存在无法适用于具有例如铝布线等金属布线的基板的问题。

在这种状况下，寻求一种基于简便且有效的方法的抗蚀剂的剥离方法，该方法不会产生上述干式灰化方式的问题，而且也不存在以湿式方式为代表的无机系剥离溶剂所具有的溶解金属布线等问题，人们希望存在满足该要求的试剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-291129号公报

专利文献2：日本特开平3-115850号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述情况而进行的，提供如下的半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物和抗蚀剂的剥离方法:所述半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物能够将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂简便且容易地剥离，该组合物还能够将抗蚀剂剥离，而不对处于抗蚀剂的下部的氧化硅膜、通过等离子体掺杂而产生的注入(インプラ)层、基板上所具有的金属布线等造成不良影响；所述抗蚀剂的剥离方法的特征在于使用该组合物。

用于解决问题的方案

本发明是半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物的发明，其特征在于，该组合物含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，且pH小于7。

并且，本发明是抗蚀剂的剥离方法的发明，其特征在于，该方法使用半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物，该半导体基板用抗蚀剂剥离剂组合物含有〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，且pH小于7。

发明效果

本发明的抗蚀剂剥离剂组合物能够将半导体领域的照相平版印刷工艺中的抗蚀剂简便且容易地剥离，通过组合使用〔I〕碳自由基产生剂、〔II〕酸、〔III〕还原剂、以及〔IV〕有机溶剂，能够将抗蚀剂剥离，而不会对处于抗蚀剂的下部的氧化硅膜和注入层、以及基板上所具有的金属布线造成不良影响。

并且，本发明的抗蚀剂的剥离方法是用于简便且容易地剥离抗蚀剂的有效方法，通过使用上述组成的剥离剂，如上所述，不会对处于抗蚀剂的下部的氧化硅膜等造成不良影响，能够容易地将抗蚀剂剥离。