[发明专利]集成电路的输出驱动器的共享静电放电保护有效
| 申请号： | 201080038157.3 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102484112A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 理查·C·李;詹姆士·卡普 | 申请（专利权）人： | 吉林克斯公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;姜精斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于保护集成电路(IC)内金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)输出驱动器免于静电放电(ESD)伤害的系统，包含一第一MOSFET输出驱动器及一第二MOSFET输出驱动器位于一共用IC扩散材料(205)内。该系统包含一接触环(225、325、420)耦接至共用IC扩散材料内并沿着环绕MOSFET输出驱动器的周围的外侧边缘安置。每一MOSFET输出驱动器的形心位置均相同于环绕二MOSFET输出驱动器的周围的形心(385、460)。每一MOSFET输出驱动器具有一Rsub值(基板电阻值275和280)，其在ESD事件发生的MOSFET输出驱动器中起始双载子骤返。上述的Rsub值取决于自每一MOSFET输出驱动器的形心至上述接触环的复合距离。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 输出 驱动器 共享 静电 放电 保护 | ||
【主权项】：
一种用于保护一集成电路(IC)内的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)输出驱动器免于静电放电(ESD)事件的系统，其特征在于，该系统包含：一第一MOSFET输出驱动器和一第二MOSFET输出驱动器，配置于一共用IC扩散材料内；以及一接触环，配置于该共用IC扩散材料内并沿着环绕该第一MOSFET输出驱动器和该第二MOSFET输出驱动器的一周围的一外侧边缘安置，其中每一该MOSFET输出驱动器的一形心位置均相同于环绕该第一MOSFET输出驱动器和该第二MOSFET输出驱动器的周围的一形心，其中每一该MOSFET输出驱动器均具有一基板电阻值(Rsub)，其在一ESD事件发生的MOSFET输出驱动器中起始双载子骤返，且其中该Rsub值取决于从每一该MOSFET输出驱动器的形心至该接触环的一复合距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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