[发明专利]集成电路的输出驱动器的共享静电放电保护

权利要求书

1.一种用于保护一集成电路(IC)内的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)输出驱动器免于静电放电(ESD)事件的系统，其特征在于，该系统包含：

一第一MOSFET输出驱动器和一第二MOSFET输出驱动器，配置于一共用IC扩散材料内；以及

一接触环，配置于该共用IC扩散材料内并沿着环绕该第一MOSFET输出驱动器和该第二MOSFET输出驱动器的一周围的一外侧边缘安置，其中每一该MOSFET输出驱动器的一形心位置均相同于环绕该第一MOSFET输出驱动器和该第二MOSFET输出驱动器的周围的一形心，

其中每一该MOSFET输出驱动器均具有一基板电阻值(R_sub)，其在一ESD事件发生的MOSFET输出驱动器中起始双载子骤返，且

其中该R_sub值取决于从每一该MOSFET输出驱动器的形心至该接触环的一复合距离。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于：

该第一MOSFET输出驱动器和该第二MOSFET输出驱动器各自均包含一相同数目的汲极端，

该汲极端的数目大于一，且

该第一MOSFET输出驱动器及该第二MOSFET输出驱动器的汲极端彼此呈叉合形式(interdigitated)。

3.如权利要求2所述的系统，其特征在于，每一该MOSFET输出驱动器的多个汲极端各自均被加入镇流机制(ballasted)。

4.如权利要求1到3中任一项所述的系统，其特征在于：

该第一MOSFET输出驱动器和该第二MOSFET输出驱动器各自包含相同数目的源极端，且

该源极端的数目大于1。

5.如权利要求1到4中任一项所述的系统，其特征在于，该接触环及每一MOSFET输出驱动器的每一源极端均耦接至与一特定扩散型态的共用IC扩散材料相关联的一电压。

6.如权利要求5所述的系统，其特征在于：

该共用IC扩散材料是一P型材料，而每一MOSFET输出驱动器是一NFET元件，且

该接触环及每一MOSFET输出驱动器的每一源极端均耦接至用以供应该IC的一最低电压位准。

7.如权利要求5或6所述的系统，其特征在于：

该共用IC扩散材料是一N型材料，而每一MOSFET输出驱动器是一PFET元件，且

该接触环以及每一MOSFET输出驱动器的每一源极端均耦接至供应该IC的一最高电压位准。

8.如权利要求1到7中任一项所述的系统，其特征在于，更包含一第一输出接垫，其耦接至该第一MOSFET输出驱动器的至少一个汲极端，以及一第二输出接垫，其耦接至该第二MOSFET输出驱动器的至少一个汲极端。

9.一种在一集成电路(IC)内的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)输出驱动器中用于静电放电(ESD)防护方法，其特征在于，该方法包含：

配置一第一MOSFET输出驱动器和一第二MOSFET输出驱动器于一共用IC扩散材料内；

决定环绕该第一MOSFET输出驱动器和该第二MOSFET输出驱动器的一周围；

沿着该周围的一外侧边缘配置一接触环于该共用IC扩散材料内；以及

置放每一MOSFET输出驱动器使其具有一位置相同于该周围的一形心的形心、且具有在发生一ESD事件处的MOSFET输出驱动器中起始双载子骤返的一基板电阻值(R_sub)，

其中每一MOSFET输出驱动器的R_sub值取决于从每一MOSFET输出驱动器的形心至该接触环的一复合距离。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，更包含将每一MOSFET输出驱动器实施成具有相同数目的汲极端，其中：

该汲极端的数目大于1，且

该MOSFET输出驱动器的汲极端是呈叉合形式。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包含对每一MOSFET输出驱动器的多个汲极端施加镇流机制。