[发明专利]使用小芯片控制电子器件无效
申请号: | 201080037804.9 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN102484120A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | R·S·库克;约翰·W·哈默 | 申请(专利权)人: | 全球OLED科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;宋海龙 |
地址: | 美国弗*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种电子装置,其包括公共基板、位于公共基板上的多个受控电子器件以及形成在公共基板上的具有多个导体的布线层。多个小芯片位于公共基板上,每个小芯片均具有与公共基板分开的独立基板,每个独立基板均具有与顶面相背的底面,一个或更多个连接焊盘形成在小芯片的底面上,并且每个小芯片均包括用于对一个或更多个受控电子器件的功能进行控制的电路。所述小芯片粘附于公共基板,与小芯片的顶面相比,小芯片的底面更靠近公共基板,并且每个连接焊盘均电连接到多个导体中的一个导体。 | ||
搜索关键词: | 使用 芯片 控制 电子器件 | ||
【主权项】:
一种电子装置,该电子装置包括:(a)公共基板,其具有包括多个小芯片位置的光学工作区;(b)多个受控光电器件,它们位于所述公共基板上,处于所述工作区中,各个光电器件适于发射或吸收光;(c)布线层,其具有形成在所述公共基板上的多个导体;(d)多个小芯片,它们位于所述公共基板上,处于所述小芯片位置处,每个小芯片均具有与所述公共基板分开的独立基板,每个独立基板均具有与顶面相背的底面,一个或更多个连接焊盘形成在所述小芯片的所述底面上,每个小芯片均包括用于对所述多个受控光电器件中的一个或更多个受控光电器件的功能进行控制的电路;以及(e)其中,所述小芯片粘附于所述公共基板,与所述小芯片的所述顶面相比,所述小芯片的所述底面更靠近所述公共基板,并且每个连接焊盘均电连接到所述多个导体中的一个导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球OLED科技有限责任公司,未经全球OLED科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080037804.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种报文发送方法及装置
- 下一篇:激光加工方法及芯片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的