[发明专利]使用小芯片控制电子器件无效
申请号: | 201080037804.9 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN102484120A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | R·S·库克;约翰·W·哈默 | 申请(专利权)人: | 全球OLED科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;宋海龙 |
地址: | 美国弗*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 芯片 控制 电子器件 | ||
1.一种电子装置,该电子装置包括:
(a)公共基板,其具有包括多个小芯片位置的光学工作区;
(b)多个受控光电器件,它们位于所述公共基板上,处于所述工作区中,各个光电器件适于发射或吸收光;
(c)布线层,其具有形成在所述公共基板上的多个导体;
(d)多个小芯片,它们位于所述公共基板上,处于所述小芯片位置处,每个小芯片均具有与所述公共基板分开的独立基板,每个独立基板均具有与顶面相背的底面,一个或更多个连接焊盘形成在所述小芯片的所述底面上,每个小芯片均包括用于对所述多个受控光电器件中的一个或更多个受控光电器件的功能进行控制的电路;以及
(e)其中,所述小芯片粘附于所述公共基板,与所述小芯片的所述顶面相比,所述小芯片的所述底面更靠近所述公共基板,并且每个连接焊盘均电连接到所述多个导体中的一个导体。
2.根据权利要求1所述的装置,该装置还包括形成在一个或更多个小芯片的顶面上的连接焊盘。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,小芯片的底面具有带有结构体的非平面表面,并且所述装置还包括位于所述公共基板上的结构体,所述公共基板上的所述结构体的形状与所期望的小芯片位置处的所述小芯片的形状互补。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述连接焊盘和所述导体之间的电连接件是各向异性导电膜或热压结合件。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述受控电子器件是显示器中的像素、图像传感器中的传感器或光伏电池中的电流产生电路。
6.一种电致发光显示装置,该电致发光显示装置包括:
(a)公共基板,其具有包括多个小芯片位置的显示区;
(b)多个像素,它们位于所述公共基板上,处于所述显示区中,每个像素均具有形成在所述公共基板上的第一电极、一个或更多个发光材料层以及形成在所述一个或更多个发光材料层上的第二电极;
(c)金属布线层,其具有形成在所述公共基板上的多个导体;
(d)多个小芯片,它们位于所述公共基板上,处于所述小芯片位置处,每个小芯片均具有与所述公共基板分开的独立基板,每个独立基板均具有与顶面相背的底面,一个或更多个连接焊盘形成在所述小芯片的所述底面上,每个小芯片均包括用于对至少一个像素进行控制的电路;以及
(e)其中,所述小芯片粘附于所述公共基板,与所述小芯片的所述顶面相比,所述小芯片的所述底面更靠近所述公共基板,并且每个连接焊盘均电连接到所述多个导体中的一个导体,并且至少一个连接焊盘连接到所述第一电极或所述第二电极中的每一个。
7.一种构造电子装置的方法,该方法包括如下步骤:
(a)设置公共基板,该公共基板具有包括多个小芯片位置的工作区;
(b)在所述工作区中,将多个受控电子器件布置在所述公共基板上;
(c)在所述公共基板上,在布线层中形成多个导体;
(d)将多个小芯片布置在所述公共基板上,处于所述小芯片位置处,每个小芯片均具有与所述公共基板分开的独立基板,所述独立基板具有底面和相背的顶面,使连接焊盘至少形成在所述底面上,每个小芯片均包括用于对所述多个受控电子器件中的一个或更多个受控电子器件的功能进行控制的电路;
(e)将所述多个小芯片印刷到所述公共基板上,与所述小芯片的所述顶面相比,所述小芯片的所述底面更靠近所述公共基板;
(f)将所述连接焊盘电连接到所述导体并且将所述小芯片粘附于所述基板。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,步骤(d)包括如下步骤:
(i)设置中间基板,所述中间基板具有带有粘合剂的粘合剂接收面;
(ii)将所述多个小芯片印刷到所述中间基板的所述粘合剂接收面上,使所述小芯片的所述顶面粘附于所述中间基板的所述粘合剂接收面;
(iii)将所述中间基板的所述粘合剂接收面布置为与所述公共基板相邻,并且使所述小芯片的所述底面接触所述公共基板,以在所期望的小芯片位置处将所述小芯片的所述底面粘附于所述公共基板;
(iv)去除所述中间基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的