[发明专利]具有铜电极的薄膜晶体管（TFT）无效
| 申请号： | 201080037758.2 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102696111A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 扎比内·施奈德-贝茨;马丁·施洛特 | 申请（专利权）人： | 贺利氏材料工艺有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT结构，其中，采用连接有基于铜合金的电极材料的氧化半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 薄膜晶体管 tft | ||
【主权项】：
一种具有半导体材料和电极的TFT结构，其特征在于，所述半导体材料是氧化半导体材料，并且，至少一个电极由基于铜合金的电极材料构成。
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