[发明专利]具有铜电极的薄膜晶体管（TFT）无效
| 申请号： | 201080037758.2 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102696111A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 扎比内·施奈德-贝茨;马丁·施洛特 | 申请（专利权）人： | 贺利氏材料工艺有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电极 薄膜晶体管 tft | ||
1.一种具有半导体材料和电极的TFT结构，其特征在于，所述半导体材料是氧化半导体材料，并且，至少一个电极由基于铜合金的电极材料构成。
2.根据权利要求1所述的TFT结构，其特征在于，至少源电极和漏电极由铜合金构成。
3.根据权利要求1或2所述的TFT结构，其特征在于，基于铜的电极的至少一种合金元素在TFT结构的电极和氧化半导体材料之间的界面上形成一个氧化中间层。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的TFT结构，其特征在于，形成为具有底栅或顶栅的结构。
5.根据前述权利要求的任意一项所述的TFT结构，其特征在于，氧化半导体材料基于由氧化铟、氧化锌、氧化铜构成的氧化物组群中至少一种而构成，或者基于混氧化物而构成，该混氧化物基于由铟、锌、铜构成的金属组群中至少一种而构成。
6.根据权利要求5所述的TFT结构，其特征在于，采用In-Ga-Zn-氧化物或Cu-Cr-氧化物或Cu-Al-氧化物。
7.根据前述权利要求的任意一项所述的TFT结构，其特征在于，所述铜合金的至少一种合金元素具有比铜更高的氧亲和性。
8.根据前述权利要求的任意一项所述的TFT结构，其特征在于，铜合金的至少一种合金元素具有比TFT结构的氧化半导体材料的至少一种化学元素更高的氧亲和性。
9.根据前述权利要求的任意一项所述的TFT结构，其特征在于，所述铜合金以0.1-10原子％的浓度包括Mg、Mn、Ga、Li、Mo、W中的至少一种元素。
10.根据权利要求7至9的任意一项所述的TFT结构，其特征在于，作为另外的电极材料采用纯度为至少99.9％的铜涂层，其中，将铜合金作为中间层涂覆在纯铜涂层之上和/或之下，而且其中，所述中间层要薄于所述铜涂层。
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