[发明专利]均匀高K金属闸极堆栈藉由在闸极图案化之前扩散金属成分调整精密晶体管的临限电压有效
| 申请号： | 201080037523.3 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102484053A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | R·卡特;F·格瑞萨奇;M·特伦萨奇;S·拜尔;B·雷默;R·班德尔;B·巴亚哈 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于N信道晶体管与P信道晶体管的精密闸极电极结构(235A，234B)，其系基于实质上相同的组构而图案化，但是同时可于初期制造阶段中完成功函数调整。为此目的，在将所欲的功函数金属成分合并进入该高k介电材料(212)之后，移除扩散层与罩盖层材料，并且随后沉积共同闸极层堆栈，并且随后图案化该共同闸极层堆栈。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 金属 堆栈 藉由 图案 之前 扩散 成分 调整 精密 晶体管 限电 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在半导体器件(200)的第一主动区域(202A)与第二主动区域(202B)上方形成闸极介电材料(210)；在该第一主动区域(202A)上方选择性地形成第一含金属材料(220)；在该第二主动区域(202B)上方形成第二含金属材料(225)；实施热处理(205)，以便在该第一主动区域(202A)上方开始将第一成分自该第一含金属材料(223)扩散进入该闸极介电材料(210)以及以便在该第二主动区域(202B)上方开始将第二成分自该第二含金属材料(225)扩散进入该闸极介电材料(210)；移除该第一与第二含金属材料；在移除该第一与第二含金属材料(220，225)之后，在该闸极介电材料(210)上方形成闸极电极材料(213)；以及自该闸极电极材料(213)，在该第一主动区域(202)上方形成第一闸极电极结构(235A)以及在该第二主动区域(202B)上方形成第二闸极电极结构(235B)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080037523.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
