[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201080036863.4 | 申请日： | 2010-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102804424A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | T.王 | 申请（专利权）人： | 塞伦光子学有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 英国设*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种发光器件包括第一和第二半导体层(14，16)以及在所述半导体层(14，16)之间的发射层(18)，布置以形成发光二极管；在所述层的其中之一中的间隙(30)；以及金属(34)，位于所述间隙(30)中且足够邻近发射层(18)以允许金属(34)与发射层(18)之间的表面等离子体激元耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一和第二半导体层以及在所述半导体层之间的发射层，布置以形成发光二极管；在所述层的其中之一中的间隙；以及金属，位于所述间隙中且足够邻近所述发射层以允许所述金属与所述发射层之间的表面等离子体激元耦合。
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