[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一和第二半导体层以及在所述半导体层之间的发射层，布置以形成发光二极管；

在所述层的其中之一中的间隙；以及

金属，位于所述间隙中且足够邻近所述发射层以允许所述金属与所述发射层之间的表面等离子体激元耦合。

2.根据权利要求1所述的器件，包括由金属颗粒形式的所述金属和载体材料形成的混合物，所述混合物位于所述间隙中。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述载体材料包括波长转换材料。

4.根据任一前述权利要求所述的器件，其中所述金属或所述混合物直接邻近所述间隙的表面。

5.根据任一前述权利要求所述的器件，其中所述间隙部分地而不是全部地延伸穿过所述第二半导体层朝向所述发射层。

6.根据权利要求1至4的任意之一所述的器件，其中所述间隙延伸穿过所述第二半导体层，部分的所述间隙以所述发射层的表面为界。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述金属或所述混合物位于与所述发射层的所述表面直接邻近的所述间隙中。

8.根据权利要求6所述的器件，其中提供与所述发射层的所述表面接触的含金属层。

9.根据权利要求7或8所述的器件，其中所述间隙延伸穿过所述发射层以及部分的所述间隙以所述第一半导体层的表面为界。

10.根据任一前述权利要求所述的器件，其中所述第一半导体层形成在衬底上。

11.根据任一前述权利要求所述的器件，还包括与所述第二半导体层相邻并电接触的接触层，从而封闭至少部分的所述间隙。

12.根据任一前述权利要求所述的器件，其中柱由所述层的至少之一、依靠形成在所述柱之间的所述间隙形成。

13.根据权利要求12所述的器件，其中在两个相邻柱的相应侧部之间测得的两个相邻柱之间的平均最短距离小于500nm并且优选地小于200nm。

14.根据权利要求1至11的任意之一所述的器件，包括彼此分离的多个所述间隙，使得所述金属或所述混合物是柱的形式。

15.根据权利要求14所述的器件，其中所述柱的平均直径小于500nm并且优选地是小于200nm。

16.一种制造发光器件的方法，包括：

形成第一和第二半导体层以及在所述半导体层之间的发射层；

在所述层的其中之一中形成间隙；以及

在所述间隙中并且足够邻近所述发射层放置金属，以允许在所述金属与所述发射层之间的表面等离子体激元耦合。

17.根据权利要求16所述的方法，包括：

由金属颗粒形式的所述金属和载体材料形成混合物；以及

在所述间隙中并且足够邻近所述发射层放置所述混合物，以允许所述金属颗粒与所述发射层之间的表面等离子体激元耦合。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述载体材料包括波长转换材料。

19.根据权利要求16至18的任意之一所述的方法，其中所述金属或所述混合物直接邻近所述间隙的表面放置。

20.根据权利要求16至19的任意之一所述的方法，其中部分地而不是全部地穿过所述第二半导体层朝向所述发射层来形成所述间隙。

21.根据权利要求16至19的任意之一所述的方法，所述间隙穿过所述第二半导体层形成并且部分的所述间隙以所述发射层的表面为界。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述金属或所述混合物被放置在所述间隙中并且直接邻近所述发射层的所述表面。

23.根据权利要求22所述的方法，其中提供与所述发射层的所述表面接触的含金属层。

24.根据权利要求22或权利要求23所述的方法，其中穿过所述发射层形成所述间隙，部分的所述间隙以所述第一半导体层的表面为界。

25.根据权利要求16至24的任意之一所述的方法，其中所述第一半导体层形成在衬底上。