[发明专利]用于硅表面蚀刻的方法无效
| 申请号： | 201080035664.1 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102484060A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 阿梅德·A·埃尔乔哈里;于尔根·施韦肯迪克 | 申请（专利权）人： | 瑞纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09K13/02;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;杨文娟 |
| 地址： | 德国居*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于硅表面蚀刻的方法，包括下列步骤：提供50℃至95℃温度的包含至少一种水胶体的含水碱性水胶体蚀刻液，将所述硅表面与所述水胶体蚀刻液接触一段指定的时间，以及从所述硅表面去除所述水胶体蚀刻液。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表面 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
用于硅表面蚀刻的方法，包括下列步骤：提供50℃至95℃温度的包含至少一种水胶体的含水碱性水胶体蚀刻液，将所述硅表面与所述水胶体蚀刻液接触一段指定的时间，以及从所述硅表面去除所述水胶体蚀刻液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
